[發明專利]晶圓級芯片尺寸封裝結構及其封裝方法

有效

• 申請號: 201110240043.3
• 申請日: 2011-08-19
• 公開（公告）號: CN102280433A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發明（設計）人: 張堅;楊紅穎;王之奇;俞國慶;王宥軍;王蔚
• 申請（專利權）人: 蘇州晶方半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶圓級芯片尺寸封裝結構，其特征在于，包括：

減薄晶圓，所述減薄晶圓一側的表面形成多個芯片焊墊；

保護層，至少覆蓋于所述減薄晶圓形成有芯片焊墊的一側的表面以及所述芯片焊墊的表面，所述保護層內與所述芯片焊墊對應的位置處形成有焊球開口；

焊球，位于所述焊球開口內，所述焊球與所述芯片焊墊電連接。

2.如權利要求1所述的晶圓級芯片尺寸封裝結構，其特征在于，所述保護層包圍減薄晶圓。

3.如權利要求1所述的晶圓級芯片尺寸封裝結構，其特征在于，還包括：基板，所述基板與所述減薄晶圓壓合為一體，所述保護層還覆蓋所述減薄晶圓的側面。

4.如權利要求3所述的晶圓級芯片尺寸封裝結構，其特征在于，所述減薄晶圓的厚度范圍為30～70微米，所述基板的厚度范圍為80～120微米，所述焊球的厚度范圍為30～70微米，所述封裝結構的厚度不超過250微米。

5.如權利要求1～3中任一權利要求所述的晶圓級芯片尺寸封裝結構，其特征在于，還包括：

互連層，位于所述芯片焊墊的遠離所述減薄晶圓的一側的表面上，且所述保護層覆蓋所述互連層，所述焊球開口位于所述保護層和互連層內。

6.如權利要求5所述的晶圓級芯片尺寸封裝結構，其特征在于，所述基板與所述減薄晶圓的形成有芯片焊墊的一側的表面壓合，所述芯片焊墊位于所述基板和減薄晶圓之間；或所述基板與所述減薄晶圓的遠離所述芯片焊墊一側的表面壓合，所述芯片焊墊位于所述減薄晶圓的遠離所述基板的一側的表面上。

7.如權利要求6所述的晶圓級芯片尺寸封裝結構，其特征在于，所述基板與所述減薄晶圓的形成有芯片焊墊的一側的表面壓合，所述芯片焊墊位于所述基板和減薄晶圓之間，所述減薄晶圓內形成有互連層開口，所述互連層至少覆蓋所述互連層開口的側壁和內部。

8.如權利要求7所述的晶圓級芯片尺寸封裝結構，其特征在于，所述互連層開口的形狀為直孔或斜孔。

9.如權利要求1所述的晶圓級芯片尺寸封裝結構，其特征在于，所述保護層的材質為高分子聚合物。

10.一種晶圓級芯片尺寸封裝方法，其特征在于，包括：

提供減薄晶圓，所述減薄晶圓一側的表面形成多個芯片焊墊；

形成保護層，所述保護層至少覆蓋所述減薄晶圓的形成有芯片焊墊一側的表面以及所述芯片焊墊的表面；

在所述保護層內形成焊球開口；

在所述焊球開口內形成焊球，所述焊球與所述芯片焊墊電連接。

11.如權利要求10所述的晶圓級芯片尺寸封裝方法，其特征在于，還包括：

提供基板；

將所述基板與所述減薄晶圓的形成有芯片焊墊的一側的表面壓合為一體或將所述基板與所述減薄晶圓的遠離所述芯片焊墊的一側表面壓合為一體。

12.如權利要求11所述的晶圓級芯片尺寸封裝方法，其特征在于，所述減薄晶圓的厚度范圍為30～70微米，所述基板的厚度范圍為80～120微米，所述焊球的厚度范圍為30～70微米，所述封裝結構的厚度不超過250微米。

13.如權利要求11所述的晶圓級芯片尺寸封裝方法，其特征在于，所述減薄晶圓和基板的制作方法包括：

提供初始晶圓，所述初始晶圓一側的表面上形成有多個芯片焊墊；

在所述初始晶圓形成有芯片焊墊的一側的表面形成臨時基板，所述臨時基板用于保護所述初始晶圓和芯片焊墊；

對所述初始晶圓的遠離所述芯片焊墊一側的表面進行減薄，形成減薄晶圓，所述減薄晶圓的厚度范圍為30～70微米；

提供基板；

將所述基板與所述減薄晶圓的遠離所述芯片焊墊的一側的表面壓合；

去除所述臨時基板，將所述芯片焊墊暴露。

14.如權利要求13所述的晶圓級芯片尺寸封裝方法，其特征在于，所述臨時基板為UV膠帶。