[發明專利]光電傳感器

無效

• 申請號: 201110239980.7
• 申請日: 2011-08-19
• 公開（公告）號: CN102956652A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 劉若鵬;欒琳;孫豪文
• 申請（專利權）人: 深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創新技術有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種光電傳感器，其特征在于：包括基于CMOS工藝的平面光波導及以集成電路實現的傳感器，所述平面光波導及傳感器集成在一芯片上，所述平面光波導設置在金屬布線層上，所述傳感器的感光元件用于響應所述平面光波導傳導的光信號。

2.根據權利要求1所述的光電傳感器，其特征在于：所述平面光波導設置有外層及內層，所述外層包覆所述內層。

3.根據權利要求2所述的光電傳感器，其特征在于：所述外層設置有N+埋層、重摻雜的深N阱、氧化層和鈍化層，所述N+埋層位于所述內層的一側，所述深N阱、氧化層和鈍化層位于所述內層的另一側。

4.根據權利要求2或3所述的光電傳感器，其特征在于：所述內層為輕摻雜的P+外延層。

5.根據權利要求3所述的光電傳感器，其特征在于：所述平面光波導還包括P型硅襯底，在所述P型硅襯底上通過N+離子注入形成所述N+埋層。

6.根據權利要求3所述的光電傳感器，其特征在于：所述N+埋層上方通過等離子濺射形成所述內層。

7.根據權利要求4所述的光電傳感器，其特征在于：所述P+外延層上通過氮化硅掩蔽和離子注入形成兩個所述重摻雜的深N阱，所述兩個重摻雜的深N阱位于所述P+外延層的兩端。

8.根據權利要求4所述的光電傳感器，其特征在于：所述P+外延層和深N阱上方生長形成所述氧化層，所述氧化層上方生長形成所述鈍化層。

9.根據權利要求1至3任一項所述的光電傳感器，其特征在于：所述傳感器是CMOS傳感器。

10.根據權利要求1至3任一項所述的光電傳感器，其特征在于：所述CMOS傳感器設置有若干像素結構，每一像素結構設置有順秩電連接的光電二極管、放大器及場效應管，所述場效應管的源極與列線相連，所述場效應管的柵極與行線相連。