[發明專利]一種超疏水材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201110239818.5
• 申請日: 2011-08-21
• 公開（公告）號: CN102950099A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 羅迪恬;周維
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: B05D5/08
• 分類號: B05D5/08;B05D3/10;C03C15/00;C03C17/34;C23F1/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種超疏水材料的制備方法，其特征在于，所述方法包括下述步驟：

步驟1、采用蝕刻液在基體的表面蝕刻出微米或亞微米結構；

步驟2、在具有微米或亞微米結構的基體表面形成納米涂層；

步驟3、在所述納米涂層上制備一層低表面能物質，得到所述的超疏水材料。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟1中，所述基體的表面包括待蝕刻區和覆蓋區，在所述覆蓋區上設置保護膜，在所述待蝕刻區采用蝕刻液進行蝕刻形成蝕刻區。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述蝕刻區包括數個間隔均勻分布的凹槽，所述凹槽為圓形或者多邊形，所述凹槽的面積為0.25-250000μm²，深度為0.3-100μm。

4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，在步驟1中，在基體的表面設置一層保護膜，然后采用激光進行雕刻，去除位于待蝕刻區的保護膜，保留位于覆蓋區的保護膜。

5.根據權利要求2或4所述的制備方法，其特征在于，所述保護膜為石蠟膜，采用石蠟涂覆于基體的表面形成所述石蠟膜，所述石蠟膜的厚度為20-500微米。

6.根據權利要求1或2?所述的制備方法，其特征在于，所述蝕刻液為氫氟酸溶液，溶液溫度為20-100℃，蝕刻時間為1-10min。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟2中、所述納米涂層為SiO₂納米涂層，通過將SiO₂納米溶膠涂覆在具有微米或亞微米結構的基體表面而形成。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，在步驟2中、所述SiO₂納米溶膠中SiO₂顆粒的粒徑為30-200nm，SiO₂顆粒呈球形；所述涂覆的方法為噴涂法或輥涂法，所形成的SiO₂納米涂層的厚度為30-500nm。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟3中，所述低表面能物質為含氟材料，采用磁控濺射法將含氟材料濺射在所述SiO₂納米涂層上，所形成的含氟膜層的厚度為10-50nm。

10.一種超疏水材料，其特征在于，所述超疏水材料通過如權利要求1-9任意一項所述的方法制備，包括基體，所述基體上形成具有微米或亞微米結構的基體表面，在所述基體表面上形成有納米涂層，并且在所述納米涂層上形成有低表面能物質層。

11.根據權利要求10所述的超疏水材料，其特征在于，所述具有微米或亞微米結構的基體表面包括蝕刻區和覆蓋區，所述蝕刻區形成有數個間隔分布的凹槽，所述凹槽的橫截面呈圓形或多邊形。

12.根據權利要求10所述的超疏水材料，其特征在于，所述基體為玻璃，所述納米涂層為SiO₂納米涂層。