[發明專利]一種具有絕緣散熱基板的電子元件

無效

• 申請號: 201110239038.0
• 申請日: 2011-08-18
• 公開（公告）號: CN102956577A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 吳獻桐;蔡欣倉;吳柏毅
• 申請（專利權）人: 吳獻桐
• 主分類號: H01L23/373
• 分類號: H01L23/373;H01L23/367;H01L33/64
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 董彬

1.一種具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，包括：

散熱基板；其中，該散熱基板為經絕緣處理的鎂合金板，且該鎂合金板不包括鋰元素；

電路層，直接貼覆形成于該散熱基板的板體表面處；以及

電子結構體，以覆晶方式電連接于該電路層，且該電子結構體的至少部分絕緣結構體，是經由一中介層而固定于該散熱基板，以藉由該中介層與該散熱基板進行散熱傳導。

2.如權利要求1所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該鎂合金板中，含有94％～97％重量百分比的鎂元素。

3.如權利要求2所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該鎂合金板還包括少于0.1％重量百分比的硅、抑或還包括少于0.005％重量百分比的鐵、抑或還包括少于0.05％重量百分比的銅、抑或還包括介于0.2％～0.5％重量百分比的錳、抑或還包括介于0.5％～1.5％重量百分比的鋅、抑或還包括介于2.5％～3.5％重量百分比的鋁、抑或還包括少于0.005％重量百分比的鎳。

4.如權利要求1所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該鎂合金板的絕緣處理方式，包括一物理式絕緣處理程序及/或一化學式絕緣處理程序。

5.如權利要求1所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該鎂合金板的絕緣處理方式，為納米真空濺鍍絕緣處理程序、無電解鎳絕緣處理程序，抑或為微弧氧化絕緣處理程序。

6.如權利要求1所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該電路層為至少以一金屬層、一銦銻氧化物透明電極層或一石墨烯電極層為一導電層，經由一蝕刻程序后所得致。

7.如權利要求1所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，還包括覆晶凸塊，該覆晶凸塊電連接于該電子結構體與該電路層之間，且該覆晶凸塊是以蒸鍍、濺鍍、電鍍或印刷方式所形成；其中，該覆晶凸塊為包括錫鉛凸塊或無鉛凸塊在內的金屬凸塊。

8.如權利要求1所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該電子結構體為LED發光晶粒，抑或為邏輯IC晶粒或邏輯IC基板，抑或為內存IC晶粒或內存IC基板。

9.如權利要求1所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該中介層為導熱膠，抑或為錫團、錫堆或錫膏。

10.一種具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，包括：

散熱基板；其中，該散熱基板為經絕緣處理的鎂合金板；

導電層，直接形成于該散基熱板的板體表面；以及

電子結構體，具有至少一電極部，該至少一電極部以非打線方式電連接于該導電層，且該電子結構體的至少部分絕緣結構體，是經由一中介層而固定于該散熱基板，以藉由該中介層與該散熱基板進行散熱傳導。

11.如權利要求10所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該鎂合金板中，含有94％～97％重量百分比的鎂元素。

12.如權利要求11所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該鎂合金板中不包括鋰元素，且該鎂合金板還包括少于0.1％重量百分比的硅、抑或還包括少于0.005％重量百分比的鐵、抑或還包括少于0.05％重量百分比的銅、抑或還包括介于0.2％～0.5％重量百分比的錳、抑或還包括介于0.5％～1.5％重量百分比的鋅、抑或還包括介于2.5％～3.5％重量百分比的鋁、抑或還包括少于0.005％重量百分比的鎳。

13.如權利要求10所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該鎂合金板的絕緣處理方式，包括一物理式絕緣處理程序及/或一化學式絕緣處理程序。

14.如權利要求10所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該鎂合金板的絕緣處理方式，為納米真空濺鍍絕緣處理程序、無電解鎳絕緣處理程序，抑或為微弧氧化絕緣處理程序。

15.如權利要求10所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該導電層為金屬層、銦銻氧化物透明電極層或石墨烯電極層。

16.如權利要求10所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該導電層經由一蝕刻程序，以得致一電路層。