[發明專利]帶有嵌入式偽柵電極的二極管

有效

• 申請號: 201110238114.6
• 申請日: 2011-08-18
• 公開（公告）號: CN102738245A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 余名薪;閻桂鳳
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/40;H01L27/02
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種電路結構包括：

第一隔離區域；

第一偽柵電極，所述第一偽柵電極在所述第一隔離區域上并且垂直地與所述第一隔離區域重疊；

二極管的第一拾取區域，所述第一拾取區域在所述第一隔離區域的相對面上，其中所述第一拾取區域的側壁與所述第一隔離區域的相對側壁接觸；

二極管的第二拾取區域，所述第二拾取區域在所述第一拾取區域和所述第一隔離區域的結合區域的相對面上，其中所述第一拾取區域和第二拾取區域是相反的導電類型；以及

阱區域，所述阱區域在所述第一拾取區域和所述第二拾取區域以及所述第一隔離區域下面，其中所述阱區域的導電類型與所述第二拾取區域的導電類型相同。

2.根據權利要求1所述的電路結構，其中所述第一拾取區域形成包圍著所述第一隔離區域的連續拾取區域；或者其中所述第一拾取區域是通過隔離區域彼此分開的分立的區域；或者其中所述第二拾取區域形成包圍著所述第一拾取區域和所述第一隔離區域的連續區域；或者

其中所述第一拾取區域是P+區域，所述第二拾取區域是N+區域，并且所述阱區域是n-阱區域；或者

其中所述第一拾取區域是N+區域，所述第二拾取區域是P+區域，并且所述阱區域是p-阱區域；或者

其中所述第一拾取區域和所述第二拾取區域中的一個與電接地連接，并且所述第一拾取區域和所述第二拾取區域中的另一個與正電源節點連接；或者

所述電路結構還包括：

第二隔離區域，所述第二隔離區域將所述第一拾取區域和所述第二拾取區域彼此分開；以及

第二偽柵電極，所述第二偽柵電極直接位于所述第二隔離區域上。

3.根據權利要求1所述的電路結構，其中所述電路結構還包括：

第二隔離區域，所述第二隔離區域將所述第一拾取區域和所述第二拾取區域彼此分開；以及

第二偽柵電極，所述第二偽柵電極直接位于所述第二隔離區域上；并且第二偽柵電極形成包圍著所述第一偽柵電極的環。

4.一種電路結構包括：

第一導電類型的阱區域；

第一重摻雜區域，所述第一重摻雜區域在所述阱區域上并且與所述阱區域接觸，其中所述第一重摻雜區域是與所述第一導電類型相反的第二導電類型；

第一偽柵電極，所述第一偽柵電極在所述阱區域上并且與所述阱區域重疊；

第一淺溝槽隔離(STI)區域，所述第一淺溝槽隔離區域在所述阱區域上，其中所述第一STI區域包圍和接觸所述第一重摻雜區域；

第二偽柵電極，所述第二偽柵電極在所述第一STI區域上并且與所述第一STI區域重疊；以及

第二重摻雜區域，其中所述第二重摻雜區域在所述阱區域上且接觸所述阱區域，其中所述第二重摻雜區域是第一導電類型，并且其中所述第二重摻雜區域包圍和接觸所述第一STI區域。

5.根據權利要求4所述的電路結構，還包括延伸到所述阱區域中的第二STI區域，其中所述第一重摻雜區域包圍和接觸所述第一STI區域；或者

其中所述第一重摻雜區域包圍所述阱區域的一部分，并且接觸所述阱區域的一部分的側壁；或者

其中，所述第一導電類型是n-型，并且所述第二導電類型是p-型；或者其中，所述第一導電類型是p-型，并且所述第二導電類型是n-型；或者

所述電路結構還包括多個偽柵電極，所述偽柵電極在所述第一STI區域上并且與所述第一STI區域重疊，其中，所述第二偽柵電極區域和所述多個偽柵電極與包圍著所述第一重摻雜區域的環對齊。

6.根據權利要求4所述的電路結構，其中所述第一導電類型是n-型，并且所述第二導電類型是p-型，且其中所述第一重摻雜區域與電接地連接，并且所述第二重摻雜區域與正電源節點連接。

7.根據權利要求4所述的電路結構，其中所述第一導電類型是p-型，并且所述第二導電類型是n-型，且其中所述第一重摻雜區域與正電源節點連接，并且所述第二重摻雜區域與電接地連接。