[發(fā)明專利]具有微通道散熱器的LED模塊及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110237976.7
• 申請日: 2011-08-18
• 公開（公告）號: CN102280540A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳軍;孫宙琰;鄭利紅
• 申請（專利權(quán)）人: 上海亞明燈泡廠有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/64;H01L33/48;H01L25/075
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種具有微通道散熱器的LED模塊的制備方法，其特征在于，所述制備方法至少包括以下步驟：

步驟一，提供一半導(dǎo)體襯底，并依次在所述半導(dǎo)體襯底上生長緩沖層，N型GaN層、量子阱層、及P型GaN層，然后在所述P型GaN層上形成P型歐姆接觸以制備出P電極，接著剝離所述半導(dǎo)體襯底并去除所述緩沖層，最后在所述N型GaN層上形成N型歐姆接觸以制備出N電極，以制備出一LED芯片；

步驟二，提供一具有上、下表面及四周側(cè)面的硅襯底，刻蝕所述硅襯底的下表面，以在所述硅襯底的底部形成多個朝向該下表面開口并貫穿相對兩側(cè)面的溝道，然后將一密封層鍵合于所述硅襯底的下表面，以使各該溝道形成在所述的相對兩側(cè)面上分別具有進(jìn)口及出口的用以流通冷卻液的多個微通道，并于所述硅襯底的上表面形成一絕緣層，以制備出一微通道散熱器；

步驟三，于所述絕緣層上制作正、負(fù)電極板，將所述LED芯片通過合金工藝倒裝在所述正電極板上，然后使用金絲球焊機(jī)將一金絲鍵合于所述N電極與所述負(fù)電極板之間以完成電性連接，同時于所述正、負(fù)電極板上分別制備出對應(yīng)電性連接于一外部電源的正、負(fù)電極連接端；以及

步驟四，在所述LED芯片上涂覆熒光粉，然后藉由硅膠進(jìn)行灌封，以密封所述正、負(fù)電極板，LED芯片，金線以及熒光粉于所述微通道散熱器的絕緣層上，最后進(jìn)行烘烤固化，以完成所述LED模塊的制備。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微通道散熱器的LED模塊的制備方法，其特征在于，所述步驟一中還包括對所述P電極與N電極的表面進(jìn)行鍍金的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微通道散熱器的LED模塊的制備方法，其特征在于，所述步驟一中，所述緩沖層、N型GaN層、量子阱層及P型GaN層的生長方法為金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積法。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微通道散熱器的LED模塊的制備方法，其特征在于，所述步驟二中刻蝕所述硅襯底的下表面的刻蝕方法為反應(yīng)離子刻蝕法。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微通道散熱器的LED模塊的制備方法，其特征在于，所述步驟二中的密封層的材質(zhì)為硅或者銅，藉由導(dǎo)熱密封材料鍵合于所述硅襯底的下表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微通道散熱器的LED模塊的制備方法，其特征在于，所述步驟二中將所述密封層鍵合于所述硅襯底下表面的鍵合方法為陽極鍵合法。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微通道散熱器的LED模塊的制備方法，其特征在于，所述步驟二中的所述溝道的寬度為10μm至1000μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微通道散熱器的LED模塊的制備方法，其特征在于，所述步驟二中的冷卻液為純水、乙醇，添加有納米顆粒的水、或添加有納米顆粒的乙醇。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微通道散熱器的LED模塊的制備方法，其特征在于，所述絕緣層為氮化鋁材質(zhì)，并該氮化鋁材質(zhì)的絕緣層表面鍍有一層金或銀，用以制作所述正、負(fù)電極板，以將所述LED芯片通過合金工藝倒裝在所述正電極板上。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有微通道散熱器的LED模塊的制備方法，其特征在于，所述步驟三中將所述LED芯片通過合金工藝倒裝在所述正電極板上的合金為金錫合金。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有微通道散熱器的LED模塊的制備方法，其特征在于，所述步驟三中將所述LED芯片的P電極通過合金工藝鍵合在所述正電極板上。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微通道散熱器的LED模塊的制備方法，其特征在于，所述步驟四中所述熒光粉為YAG熒光粉。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微通道散熱器的LED模塊的制備方法，其特征在于，所述步驟四中所述硅膠為進(jìn)行了一次光學(xué)設(shè)計的有機(jī)硅。