[發(fā)明專利]薄膜帶電體傳感器及顯示設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110237591.0 | 申請(qǐng)日: | 2011-08-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102420254A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-04-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金武謙;樸昶模;樸一秀;李榕洙;曹煐美 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L29/84 | 分類號(hào): | H01L29/84;H01L27/02;G06F3/041;G01L1/16 |
| 代理公司: | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 羅正云;宋志強(qiáng) |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜 帶電 傳感器 顯示 設(shè)備 | ||
1.一種薄膜帶電體傳感器,包括:
基板;
位于所述基板上的第一薄膜晶體管單元,所述第一薄膜晶體管單元包括柵極層、與所述柵極層絕緣的有源層,以及與所述柵極層絕緣并連接至所述有源層的源/漏極層;以及
位于所述基板上的薄膜觸角單元,所述薄膜觸角單元包括電連接至所述柵極層且具有導(dǎo)電材料的第一膜,所述薄膜觸角單元適于響應(yīng)于帶電體的電場(chǎng)而產(chǎn)生輸入電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜帶電體傳感器,其中所述第一膜和所述柵極層包括相同的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜帶電體傳感器,其中所述第一膜整體連接至所述柵極層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜帶電體傳感器,其中所述第一膜從所述柵極層延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜帶電體傳感器,其中所述第一膜和所述源/漏極層包括相同的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜帶電體傳感器,進(jìn)一步包括第二薄膜晶體管單元,
其中所述第一膜電連接至所述第二薄膜晶體管單元的柵極層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜帶電體傳感器,其中所述薄膜觸角單元進(jìn)一步包括具有導(dǎo)電材料的第二膜,所述第二膜與所述第一膜絕緣。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜帶電體傳感器,進(jìn)一步包括第二薄膜晶體管單元,
其中所述第二膜電連接至所述第二薄膜晶體管單元的柵極層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜帶電體傳感器,進(jìn)一步包括第二薄膜晶體管單元,
其中所述第二膜電連接至所述第二薄膜晶體管單元的源/漏極層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜帶電體傳感器,其中所述薄膜觸角單元進(jìn)一步包括與所述第一膜絕緣且具有導(dǎo)電材料的第三膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜帶電體傳感器,其中所述第二膜和所述第三膜彼此電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜帶電體傳感器,其中提供多個(gè)所述薄膜觸角單元,并且多個(gè)所述薄膜晶體管單元分別連接至所述多個(gè)薄膜觸角單元。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜帶電體傳感器,其中所述多個(gè)薄膜觸角單元以不同的方向在執(zhí)行檢測(cè)操作的面板上延伸。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜帶電體傳感器,進(jìn)一步包括覆蓋所述薄膜觸角單元的絕緣層。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜帶電體傳感器,其中所述有源層包括氧化物半導(dǎo)體。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜帶電體傳感器,其中所述柵極層位于所述有源層下方。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜帶電體傳感器,其中所述柵極層位于所述有源層上方。
18.一種顯示設(shè)備,包括:
顯示面板;以及
薄膜帶電體傳感器,所述薄膜帶電體傳感器包括:
基板,
位于所述基板上的第一薄膜晶體管單元,所述第一薄膜晶體管單元包括柵極層、與所述柵極層絕緣的有源層以及與所述柵極層絕緣并連接至所述有源層的源/漏極層,以及
位于所述基板上的薄膜觸角單元,所述薄膜觸角單元包括電連接至所述柵極層且具有導(dǎo)電材料的第一膜,所述薄膜觸角單元適于響應(yīng)于帶電體的電場(chǎng)而產(chǎn)生輸入電流。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示設(shè)備,其中所述第一膜整體連接至所述柵極層。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示設(shè)備,其中所述第一膜從所述柵極層延伸。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的





