[發明專利]銅互連結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201110236698.3
• 申請日: 2011-08-17
• 公開（公告）號: CN102956539A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 周鳴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種銅互連結構的制造方法，其特征在于，包括：

形成銅互連線；

在所述銅互連線上形成上擴散阻擋層，所述上擴散阻擋層是含有硼和氮的化合物。

2.如權利要求1所述的銅互連結構的制造方法，其特征在于，所述上擴散阻擋層是含有硼、氮和碳的化合物。

3.如權利要求1或2所述的銅互連結構的制造方法，其特征在于，利用化學氣相沉積工藝形成所述上擴散阻擋層，所述化學氣相沉積工藝所使用的氣體包括C₃H₁₂BN。

4.如權利要求3所述的銅互連結構的制造方法，其特征在于，所述化學氣相沉積工藝所使用的氣體還包括N₂、NH₂-H₂N和NH₃。

5.如權利要求3所述的銅互連結構的制造方法，其特征在于，所述化學氣相沉積工藝所使用的氣體還包括He和N₂。

6.如權利要求1或2所述的銅互連結構的制造方法，其特征在于，所述化學氣相沉積工藝中，功率為150w～1000w，壓強為2torr～7torr。

7.如權利要求1或2所述的銅互連結構的制造方法，其特征在于，所述上擴散阻擋層的厚度為30埃～1000埃。

8.如權利要求1或2所述的銅互連結構的制造方法，其特征在于，在形成銅互連線之前，還包括如下步驟：

形成下擴散阻擋層，所述下擴散阻擋層是含有硼和氮的化合物；

在所述下擴散阻擋層上形成隔離結構，用以隔離銅互連線。

9.一種銅互連結構，其特征在于，包括：

銅互連線；及

位于所述銅互連線上的上擴散阻擋層，所述上擴散阻擋層是含有硼和氮的化合物。

10.如權利要求9所述的銅互連結構，其特征在于，所述上擴散阻擋層為含有硼、氮和碳的化合物。

11.如權利要求9或10所述的銅互連結構，其特征在于，所述上擴散阻擋層的厚度為30埃～1000埃。

12.如權利要求9或10所述的銅互連結構，其特征在于，還包括下擴散阻擋層，所述下擴散阻擋層與所述上擴散阻擋層相對設置，所述下擴散阻擋層是含有硼和氮的化合物。

13.如權利要求9或10所述的銅互連結構，其特征在于，還包括隔離結構，所述隔離結構位于所述上擴散阻擋層和下擴散阻擋層之間，并隔離所述銅互連線，所述隔離結構為低K介質。