[發明專利]單片微波集成電路

有效

• 申請號: 201110236686.0
• 申請日: 2011-08-12
• 公開（公告）號: CN102403316A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 保羅·W·桑德斯;韋恩·R·布格爾;翠·B·達奧;喬爾·E·基斯;邁克爾·F·彼得拉斯;羅伯特·A·普賴爾;任小偉
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/06;H01L21/82
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 陸錦華;劉光明

發明領域

本發明大體涉及一種半導體器件和電路以及用于制造該半導體器件和電路的方法，并且更具體地，涉及到適合于在非常高的頻率、包括微波頻率下操作的單片集成電路。

背景技術

隨著電子技術的發展，對于適合于在越來越高的頻率、包括微波頻率下操作的固態電路存在持續的需求。如本文中所使用的，術語“微波”指的是約800兆赫茲或以上的頻率。已經產生了能夠提供這種頻率范圍中的增益的各種晶體管結構。例如電感器和電容器的無源構件通常必須與這種固態放大器相組合以實現所需的電路功能，例如但是不意欲限于：功率放大器、調制器、過濾器、振蕩器等。但是，由于所需的操作頻率已經增加了，因此已經證實用于在共用基板上單片地形成這種有源和無源元件的常規方式實際上不適合于微波結構，并且目前為止滿意的性能需要組裝單獨制造的無源和有源元件。由此，對于具有基本同時制造在共用單片基板上的無源和有源元件的單片集成電路存在持續的需求，其能夠在微波頻率下操作。

附圖說明

以下，將結合下面的附圖來描述本發明，這里，相同附圖標記表示相同元件，以及其中：

圖1是根據現有技術的絕緣柵場效應晶體管與電容器和電感器相組合以形成微波放大器的簡化電氣示意圖；

圖2是根據現有技術的將圖1的電路具體化的物理放大器結構的簡化平面圖；

圖3是根據本發明的實施例的絕緣柵場效應晶體管與電容器和電感器相組合以形成微波放大器的簡化電氣示意圖；

圖4是根據本發明的另一實施例的將圖3的電路具體化的物理放大器結構的簡化平面圖；

圖5是根據本發明的再一實施例的用于圖3-4的放大器中的橫向(雙)擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管的簡化橫截面圖；

圖6是根據本發明又一實施例的圖4的一部分放大器結構的簡化橫截面圖，其示出了如何以單片形式將低損耗電容提供在其中、耦合到用于形成低損耗電感或互聯的導體作為同一單片結構的一部分；

圖7是根據本發明的又一實施例的圖4的另一部分放大器結構的簡化橫截面圖，其示出了如何以單片形式將另一低損耗電容提供在其中、耦合到用于形成低損耗電感或互聯的導體作為同一單片結構的一部分；

圖8示出了根據本發明又一實施例的說明用于形成圖4-7的部分或全部結構的方法的簡化流程圖；以及

圖9-11示出了根據本發明又一實施例的說明用于形成圖4-7的部分或全部結構的方法的簡化流程圖。

具體實施方式

以下的詳細描述實際上僅是示范性的且不限制本發明或者本發明的應用和使用。而且，并不受到在前述技術領域、背景技術或者以下的詳細描述中提出的任何所表達或暗示的理論限制。

為了簡化和明確說明，附圖示出了構成和描述的一般方式且可以省略眾所周知的特征和技術的細節，以避免不必要地混淆本發明。此外，在附圖中的元件不一定按比例繪制。例如，圖中一些元件或區域的尺寸相對于其他元件或區域的尺寸可以放大，以有助于促進對本發明實施例的理解。

如果存在的話，則說明書和權利要求書中的術語“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等可以用于區分相似元件和步驟且未必用于描述特定順序或時間順序。應理解，這樣使用的術語在適當環境下可互換，例如以使得本文描述的本發明的實施例能夠以所示順序之外的順序操作或者以本文中另外描述的順序操作。而且，術語“包括”、“包含”、“具有”及其任何變形都覆蓋非排他的包括，使得包括要素列表的工藝、方法、工件或者裝置不必限于這些要素，而是可以包括沒有明確列出的或者對該工藝、方法、工件或裝置固有的其他要素。如本文中所使用的術語“耦合”被限定為以電或非電的方式直接或間接連接。如本文中所使用的，術語“基本的”、“基本上”意思是以實踐方式足以實現所述目的，以及如果存在的話，較小的瑕疵對于所述目的并無重要影響。