[發(fā)明專利]一種可實(shí)現(xiàn)快速通斷的高壓高頻脈沖電子開關(guān)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110236544.4
• 申請日: 2011-08-17
• 公開（公告）號: CN102957406A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 毛文斌;顧建軍;趙健
• 申請（專利權(quán)）人: 上海普銳馬電子有限公司
• 主分類號: H03K17/04
• 分類號: H03K17/04;H03K17/687
• 代理公司: 上海科盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31225
• 代理人: 宣慧蘭

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種脈沖電子開關(guān)，尤其是涉及一種可實(shí)現(xiàn)快速通斷的高壓高頻脈沖電子開關(guān)。?

背景技術(shù)

脈沖電子開關(guān)要求電壓幅值比較高，大約在4.5kV以上，六千以下，開關(guān)頻率比較高，最高開關(guān)頻率在2MHz，上升沿僅5nS，普通機(jī)械開關(guān)或者電磁開關(guān)達(dá)到電壓和頻率要求，必須采用半導(dǎo)體開關(guān)。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種無使用疲勞，可實(shí)現(xiàn)永久無衰減快速通斷的高壓高頻脈沖電子開關(guān)。?

本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：一種可實(shí)現(xiàn)快速通斷的高壓高頻脈沖電子開關(guān)，其特征在于，包括CMOS管電路和驅(qū)動電路，所述的CMOS管電路與驅(qū)動電路連接。?

所述的CMOS管電路由多個(gè)CMOS管組并聯(lián)而成，每個(gè)CMOS管組由多個(gè)CMOS管串聯(lián)而成。?

所述的多個(gè)CMOS管組為4～10個(gè)CMOS管組，所述的多個(gè)CMOS管為10～20個(gè)CMOS管。?

所述的驅(qū)動電路包括逆變電路和倍壓電路，所述的逆變電路連接倍壓電路，所述的倍壓電路的輸出端連接CMOS管電路。?

所述的CMOS管的耐壓為500V。?

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了高頻高壓脈沖電子開關(guān)的快速通斷，而且波形一致性比較好，成本低，沒有使用疲勞問題，可以實(shí)現(xiàn)永久無衰減快速通斷。?

附圖說明

圖1為本發(fā)明的電路示意圖；?

圖2為CMOS管電路連接方式的原理示意圖。?

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。?

實(shí)施例?

如圖1所示，一種可實(shí)現(xiàn)快速通斷的高壓高頻脈沖電子開關(guān)，包括CMOS管電路2和驅(qū)動電路1，CMOS管電路1由5個(gè)CMOS管組并聯(lián)而成，每個(gè)CMOS管組均由10個(gè)CMOS管串聯(lián)而成。每個(gè)CMOS管的耐壓為500V，則每個(gè)CMOS管組的總體耐壓在5000V左右，每個(gè)CMOS管同時(shí)驅(qū)動，可以解決耐高壓的問題。然后5組CMOS管組并聯(lián)組成CMOS管電路，達(dá)到提高脈沖電流的要求。驅(qū)動電路1包括逆變電路11和倍壓電路12，逆變電路11連接倍壓電路12，倍壓電路12的輸出端連接CMOS管電路2中每個(gè)CMOS管的柵極，倍壓電路12采用互感原理，在驅(qū)動CMOS管的同時(shí)，可以起到高壓隔離和保護(hù)電路的作用。?

低壓電源首先通過逆變電路11升壓，然后再經(jīng)過倍壓電路12進(jìn)一步升壓，并輸出高壓驅(qū)動方波，驅(qū)動CMOS管電路2，使CMOS管同時(shí)導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)永久無衰減快速通斷。?