[發(fā)明專利]帶有直立式納米線結(jié)構(gòu)的LED及其制作方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110235696.2
• 申請(qǐng)日: 2007-12-22
• 公開（公告）號(hào): CN102255018A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: L·薩穆爾森;B·佩德森;J·奧爾森
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆南諾股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/04
• 分類號(hào): H01L33/04;H01L33/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉春元;王忠忠

1.一種包括基片(105)和多個(gè)納米結(jié)構(gòu)化LED(100)的LED，其中每個(gè)LED包括外延地連接到納米線(110)的體積元件(115)，納米結(jié)構(gòu)化LED包括由納米線(110)和體積元件(115)的組合形成的pn結(jié)和產(chǎn)生光的有源區(qū)(120)，其中納米結(jié)構(gòu)化LED的至少一部分形成波導(dǎo)截面，其將有源區(qū)中產(chǎn)生的光定向到由納米線給定的方向，其中每個(gè)單獨(dú)LED被提供有在體積元件上的接觸(125)，該接觸串聯(lián)連接用于逐組地尋址LED。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED，其中串聯(lián)連接的接觸(125)包括InSno、金屬、金屬合金、或其組合的任何層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LED，其中所述接觸(125)是透明的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LED，其中所述接觸(125)是反射性的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中的任一項(xiàng)所述的LED，其中接觸(155)被提供在基片上，連接多個(gè)LED。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED，其中接觸(155)是底面接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED，其中所述底面接觸(155)是反射性的。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED，其中所述底面接觸(155)是透明的。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-6中的任一項(xiàng)所述的LED，其中反射層(109)在納米結(jié)構(gòu)化LED的下面。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LED，其中反射層(109)是多層結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1-10中的任一項(xiàng)所述的LED，其中光被定向通過基片。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED，其中減小基片的至少一部分的厚度以減小光的散射或吸收。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED，其中基片的至少一部分是由透明材料制成的。

14.根據(jù)權(quán)利要求1-4中的任一項(xiàng)所述的LED，其中納米結(jié)構(gòu)化LED被從基片中去除。