[發(fā)明專利]覆晶式半導體全波整流元件及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110235631.8
• 申請日: 2011-08-17
• 公開（公告）號: CN102956512A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發(fā)明（設計）人: 黃文彬;吳文湖
• 申請（專利權）人: 美麗微半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/58;H01L25/11
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種覆晶式半導體全波整流元件的制造方法，其特征在于，至少包含一顆PNNP型及/或一顆NPPN型覆晶、以及一片具有多根接腳的料片或基板，其中該PNNP型及/或NPPN型覆晶的全部焊點皆位于同一面，料片或基板的多根接腳分別與該PNNP型及/或NPPN型覆晶的焊點依照全波整流器的電路配置來焊接組合后，經(jīng)封裝成型及切腳即完成成品的制作。

2.根據(jù)權利要求1項所述的覆晶式半導體全波整流元件的制造方法，其特征在于，所述PNNP型及/或NPPN型覆晶的全部焊點皆排列在同一水平面上。

3.根據(jù)權利要求1所述的覆晶式半導體全波整流元件的制造方法，其特征在于，所述PNNP型覆晶中兩個相鄰的N極共構(gòu)及/或NPPN中兩個相鄰的P極共構(gòu)。

4.根據(jù)權利要求1所述的覆晶式半導體全波整流元件的制造方法，其特征在于，PNNP型及/或NPPN型覆晶的P極是以一般半導體硅晶片工藝技術或利用肖特基工藝技術所制成。

5.一種覆晶式半導體全波整流元件，其特征在于，包含：

一顆PNNP型及一顆NPPN型覆晶，該二覆晶彼此分離，且其全部的焊點皆位于同一面；

四根接腳，分別具有至少一導接端以及一電路連接端，其中所述四根接腳的導接端依照橋式整流器的電路配置分別與前述該二覆晶的焊點焊接組合，四個電路連接端可供外部電路電氣連接；以及

一封裝體，包覆在上述二覆晶及四根接腳外部，并且令四根接腳的電路連接端分別外露。

6.一種覆晶式半導體全波整流元件，其特征在于，包含：

一顆PNNP或NPPN型覆晶，其全部的焊點皆位于同一面；

三根接腳，分別具有至少一導接端以及一電路連接端，其中所述三根接腳的導接端依照中心抽頭式全波整流器的電路配置分別與覆晶的焊點焊接組合，三個電路連接端可供外部電路電氣連接；以及

一封裝體，包覆在上述覆晶及三根接腳外部，并且令三根接腳的電路連接端分別外露。

7.根據(jù)權利要求5或6所述的覆晶式半導體全波整流元件，其特征在于，所述覆晶的全部焊點皆排列在同一水平面上。

8.根據(jù)權利要求5或6所述的覆晶式半導體全波整流元件，其特征在于，所述接腳的電路連接端分別由封裝體向外部延伸以形成表面粘著型元件或插接型元件。

9.根據(jù)權利要求5或6所述的覆晶式半導體全波整流元件，其特征在于，所述PNNP型覆晶中兩個相鄰的N極共構(gòu)及/或NPPN中兩個相鄰的P極共構(gòu)。

10.根據(jù)權利要求5或6所述的覆晶式半導體全波整流元件，其特征在于，所述PNNP或NPPN型覆晶的P極具備一般半導體或肖特基勢壘的電氣特性。