[發(fā)明專利]低溫碳包覆復合材料、其制備方法及其應用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110235352.1 | 申請日: | 2011-08-16 |
| 公開(公告)號: | CN102956890A | 公開(公告)日: | 2013-03-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 簡澤浪;趙亮;汪銳;胡勇勝;李泓;陳立泉 | 申請(專利權)人: | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號: | H01M4/62 | 分類號: | H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司: | 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司 11280 | 代理人: | 劉丹妮 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低溫 碳包覆 復合材料 制備 方法 及其 應用 | ||
1.一種低溫碳包覆復合材料,其特征在于,所述復合材料具有通式:C-M,其中,
C為碳,其包覆在材料表面上;
M為被包覆材料,其選自:半金屬、合金、氟化物、硫化物、氧化物、氮化物和鹽類物質(zhì)中的一種或多種組合。
2.根據(jù)權利要求1所述的復合材料,其特征在于:
所述半金屬的被包覆材料為碳材料和硅材料,優(yōu)選地,所述碳材料包括:硬碳材料、軟碳材料、石墨、石墨化材料或改性石墨材料;
所述氟化物、硫化物或氧化物的被包覆材料為第一(除氫)至第六周期中I?A-VIIIA和II?B-VIB族的金屬或非金屬所形成的氟化物、硫化物、氧化物或復合氧化物;
所述鹽類的被包覆材料為磷酸鹽、硫酸鹽、硅酸鹽或它們的衍生物。
3.根據(jù)權利要求1所述的復合材料,其特征在于,所述C來源于一種有機物或多種有機物的混合物,優(yōu)選地,所述C源包括:9,10-二溴蒽、10,10’-二溴-9,9’-聯(lián)二蒽、6,11-二溴-1,2,3,4-四苯三亞苯或1,3,5-三(4”-碘-2’-聯(lián)苯)苯。
4.根據(jù)權利要求1-3中任一項所述的復合材料,其特征在于,所述復合材料中碳的質(zhì)量百分含量為0.01-30%,優(yōu)選為1-10%。
5.一種制備權利要求1-4中任一項所述復合材料的方法,其特征在于,所述方法包括如下步驟:
1)將C源分散于有機溶劑中,加入被包覆材料,混合使有機溶劑揮發(fā),得到C源和被包覆物的混合物;
2)將混合物置于惰性氣氛或真空中加熱,保溫后得到低溫碳包覆復合材料。
6.根據(jù)權利要求5所述的制備方法,其特征在于,步驟1)中:
所述C源為一種有機物或多種有機物的混合物,優(yōu)選地,所述C源包括:9,10-二溴蒽、10,10’-二溴-9,9’-聯(lián)二蒽或6,11-二溴-1,2,3,4-四苯三亞苯、1,3,5-三(4”-碘-2’-聯(lián)苯)苯;
所述被包覆材料選自:半金屬、合金、氟化物、硫化物、氧化物、氮化物和鹽類物質(zhì)中的一種或多種組合;
所述有機溶劑包括:乙醇、四氫呋喃或丙酮。
7.根據(jù)權利要求5或6所述的制備方法,其特征在于:
所述半金屬的被包覆材料為碳材料和硅材料,優(yōu)選地,所述碳材料包括:硬碳材料、軟碳材料、石墨、石墨化材料或改性石墨材料;
所述氟化物、硫化物或氧化物的被包覆材料為第一(除氫)至第六周期中I?A-VIIIA和II?B-VIB族的金屬或非金屬所形成的氟化物、硫化物、氧化物或復合氧化物;
所述鹽類的被包覆材料為磷酸鹽、硫酸鹽、硅酸鹽或它們的衍生物。
8.根據(jù)權利要求5或6所述的制備方法,其特征在于,所述C源加入的質(zhì)量需要滿足以下條件:使得所述復合材料中碳的質(zhì)量百分含量為0.01-30%,優(yōu)選為1-10%。
9.根據(jù)權利要求5所述的制備方法,其特征在于,步驟2)中,所述加熱溫度在200-600℃之間,優(yōu)選為350-450℃;所述保溫時間為0.2-24h,優(yōu)選為0.5-3h。
10.一種權利要求1-4中任一項所述復合材料在初級或次級電化學發(fā)電器(電池)、高能發(fā)電器和在電化學發(fā)光調(diào)制系統(tǒng)中的應用,其特征在于,所述應用為在制備二次鋰電池中的應用。
11.一種包含權利要求1-4中任一項所述復合材料的二次鋰電池,其特征在于,所述二次鋰電池包括:正極、負極和電解液;所述負極包括:集流體和負載在該集流體上的負極材料;其中,所述負極材料含有所述的復合材料。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院物理研究所,未經(jīng)中國科學院物理研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110235352.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:醫(yī)用圖像處理裝置
- 下一篇:一種半導體結構及其制造方法





