[發明專利]一種簡化側墻定義的兩次圖形曝光工藝的方法

有效

• 申請號: 201110235262.2
• 申請日: 2011-08-17
• 公開（公告）號: CN102437049A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 俞柳江
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;G03F7/00
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種簡化側墻定義的兩次圖形曝光工藝的方法，包括從下至上順序依次覆蓋有下層介質層和層間絕緣介質層的襯底，所述層間絕緣介質層上設置有環路結構的側墻，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1：淀積二氧化硅薄膜覆蓋層間絕緣介質層及側墻后，進行平坦化處理，以去除覆蓋在側墻上及部分覆蓋在層間絕緣介質層上的二氧化硅薄膜，同時去除部分側墻，以使平坦化后側墻的上表面與二氧化硅薄膜的上表面在同一水平面上；

步驟S2：去除平坦化后的側墻，于平坦化后的二氧化硅薄膜內形成環狀結構的側墻凹槽；旋涂光刻膠覆蓋平坦化后的二氧化硅薄膜和側墻凹槽，曝光、顯影后形成光阻，并以該光阻為掩膜刻蝕平坦化后的二氧化硅薄膜至層間絕緣介質層，去除光阻形成具有溝槽圖案的二氧化硅薄膜；

步驟S3：以具有溝槽圖案的二氧化硅薄膜為掩膜刻蝕層間絕緣介質層至下層介質層后，去除具有溝槽圖案的二氧化硅薄膜，形成溝槽圖案的結構。

2.根據權利要求1所述的簡化側墻定義的兩次圖形曝光工藝的方法，其特征在于，環路結構的側墻的材質為氮化硅。

3.根據權利要求1所述的簡化側墻定義的兩次圖形曝光工藝的方法，其特征在于，采用化學機械研磨工藝進行平坦化處理。

4.根據權利要求1所述的簡化側墻定義的兩次圖形曝光工藝的方法，其特征在于，采用高選擇比的方法刻蝕平坦化后的二氧化硅薄膜至層間絕緣介質層。

5.根據權利要求4所述的簡化側墻定義的兩次圖形曝光工藝的方法，其特征在于，所述高選擇比為二氧化硅/層間絕緣層。