[發明專利]一種用于防止光掩模版應力傳遞致主圖形移動的方法

無效

• 申請號: 201110235241.0
• 申請日: 2011-08-17
• 公開（公告）號: CN102436133A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 何偉明;鄭海昌
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/38
• 分類號: G03F1/38
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種用于防止光掩模版應力傳遞致主圖形移動的方法。

背景技術

隨著集成電路技術的不斷縮微，目前主流的集成電路制造已經進入了65nm甚至更小的階段，整體工藝窗口越來越小，尤其是對準精度的要求更為苛求，而在生產中也發現光掩模版上的圖形位置精度的偏差占整體工藝窗口余量的比重越來越大。

圖1是光掩模版重修后光掩模版對比保護膜的圖形位置對準標記量測值的示意圖。如圖1所示，光掩模版1重修后，靠近保護膜（pellicle）的圖形外圍光掩模版位置對準標記（registration）量測值D惡化較為嚴重，而圖形內部光掩模版位置對準標記量測值d則在正常范圍之內。

圖2是在套刻結果正常條件下的器件對準結果的示意圖。其中，21為有源區（active?area），22為多晶硅（Poly），23為多晶硅與有源區的重疊區域（poly/active?overlap?area）。如圖2所示，在實際晶圓生產過程中，套刻精度(overlay)正常的情況下，實際器件圖形對準也會發生偏差，其原因是因為光掩模版重修會導致應力致使切割道上圖形產生位置偏移，于是外圍切割道上的套刻標記(overlay)與主圖形之間會產生一定的偏差。

圖3是在應力條件下切割道圖形發生偏轉的示意圖。如圖3所示，切割道31與內部器件圖形32根據設計規則會存在一定的空曠區域（clear?tone，chrome-free），而在光掩模版33制造或重修過程中，保護膜（pellicle）的安裝或拆除會產生應力，當產生的應力傳遞到內部區域后，只會影響到切割道31(scribe?lane)上的套刻量測結構(overlay?mark)圖形，從而使切割道31上的圖形與內部器件圖形產生位移差，導致套刻的量測無法實時監控到實際的圖形對準精度。

發明內容

本發明公開了一種用于防止光掩模版應力傳遞致主圖形移動的方法，其中，包括以下步驟：

步驟S1：一光掩膜版上覆蓋一薄膜，在該薄膜上設置一器件圖形區域，環繞器件圖形區域，在薄膜上由內向外順序依次設置切割道、圖像鉻保護圈和保護膜框架區域；

步驟S2：在位于保護膜框架區域與圖像鉻保護圈之間的薄膜上，環繞圖像鉻保護圈設置一閉合的應力阻擋環區域；

步驟S3：去除應力阻擋環區域中的薄膜至光掩膜版，形成閉合環狀應力阻擋環。

上述的用于防止光掩模版應力傳遞致主圖形移動的方法，其中，所述光掩膜版的基底材質為石英。

上述的用于防止光掩模版應力傳遞致主圖形移動的方法，其中，所述薄膜的材質為鉻或鉬化硅。

上述的用于防止光掩模版應力傳遞致主圖形移動的方法，其中，所述切割道為非透光切割道。

上述的用于防止光掩模版應力傳遞致主圖形移動的方法，其中，所述切割道上至少設置一個套刻標記。

上述的用于防止光掩模版應力傳遞致主圖形移動的方法，其中，步驟S1中，切割道環繞器件圖形區域設置，圖像鉻保護圈環繞切割道設置，保護膜框架區域環繞圖像鉻保護圈設置。

上述的用于防止光掩模版應力傳遞致主圖形移動的方法，其中，應力阻擋環的環的寬度大于1nm。

綜上所述，由于采用了上述技術方案，本發明提出一種用于防止光掩模版應力傳遞致主圖形移動的方法，通過設置應力阻擋環，能有效降低光掩模版制造過程中或重修過程中外圍圖形區域產生的應力對主圖形的影響。

附圖說明

圖1是本發明背景技術中光掩模版重修后光掩模版對比保護膜的圖形位置對準標記量測值的示意圖；

圖2是本發明背景技術中在套刻結果正常條件下的器件對準結果的示意圖；

圖3是本發明背景技術中在應力條件下切割道圖形發生偏轉的示意圖；

圖4是本發明用于防止光掩模版應力傳遞致主圖形移動的方法中覆蓋薄膜的光掩模版的結構示意圖；

圖5-6是本發明用于防止光掩模版應力傳遞致主圖形移動的方法的示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明的具體實施方式作進一步的說明：

如圖4-6所示，一種用于防止光掩模版應力傳遞致主圖形移動的方法：