[發明專利]一種制作半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201110235045.3
• 申請日: 2011-08-16
• 公開（公告）號: CN102956450A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 蔣莉;黎銘琦
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 馬景輝

1.一種制作半導體器件的方法，包括以下步驟：

在半導體襯底上形成隔離槽；

在半導體襯底上沉積絕緣材料層；

去除半導體襯底表面的絕緣材料，僅留下所述隔離槽中的絕緣材料；

在半導體襯底上形成柵極氧化物；

在所述柵極氧化物上沉積多晶硅層；

對所述多晶硅層進行化學機械平坦化處理，使得所述多晶硅層表面變得平坦；

利用所述多晶硅層形成多晶硅柵極。

2.根據權利要求1所述的方法，其中還包括在形成所述隔離槽之前，形成保護層的步驟。

3.根據權利要求2所述的方法，所述保護層包括第一保護層和位于所述第一保護層之上的第二保護層。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述第一保護層為氧化硅。

5.根據權利要求3所述的方法，其中所述第二保護層為氮化硅。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述絕緣材料為氧化物或氮氧化物。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述氧化物為氧化硅。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述氮氧化物為氮氧化硅。

9.根據權利要求1所述的方法，還包括在后續步驟中，將所述多晶硅柵極作為偽柵，使用金屬替代所述多晶硅柵極，從而形成金屬柵極的步驟。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述金屬為鋁或鎢。

11.根據權利要求1所述的方法，所述隔離槽為淺溝槽隔離槽。

12.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述襯底上通過離子注入定義有源區的步驟。

13.根據權利要求1所述的方法，還包括：在對所述多晶硅層進行化學機械平坦化處理之后，對多晶硅層表面進行清洗的步驟。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，所述清洗步驟包括：

使用溫度大于60℃的堿性溶液對所述對多晶硅層表面進行清洗，從而去除殘留在所述多晶硅層表面的顆粒。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述顆粒為CeO₂。

16.根據權利要求14所述的方法，其中所述堿性溶液的PH值大于6.8且小于9.8。

17.根據權利要求14所述的方法，其中所述堿性溶液為氨水、雙氧水和去離子水的混合溶液。

18.根據權利要求17所述的方法，其中氨水、雙氧水和去離子水的體積比為1∶1∶40-1∶3∶100。

19.根據權利要求17所述的方法，其中氨水、雙氧水和去離子水的體積比為1∶2∶50。

20.根據權利要求17所述的方法，其中氨水的濃度為29％。

21.根據權利要求17所述的方法，其中雙氧水的濃度為30％。

22.根據權利要求14所述的方法，還包括：在清洗的同時，對所述多晶硅層表面進行超聲處理。

23.根據權利要求22所述的方法，其中所述超聲處理的功率范圍為80W-500W。

24.根據權利要求22所述的方法，其中所述超聲處理的頻率范圍為20KHz-100KHz。