[發明專利]一種ITO通孔電容觸摸屏及其制造方法

有效

• 申請號: 201110234551.0
• 申請日: 2011-08-16
• 公開（公告）號: CN102289334A
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發明（設計）人: 曹曉星;李晗
• 申請（專利權）人: 深圳市寶明科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044
• 代理公司: 廣東國暉律師事務所 44266
• 代理人: 趙瓊花

1.一種ITO通孔電容觸摸屏，包括裝飾玻璃基板，通過光學膠層疊于裝飾基板上的電容功能基板，以及依次層疊于電容功能基板的ITO電極、第一絕緣層、ITO通孔電極、金屬電極和第二絕緣層；所述的ITO電極包括電容屏驅動和感應電極，具有規則圖形結構；電容屏驅動與感應電極在同一層面，相互獨立，相互絕緣，垂直設計。

2.如權利要求1所述的ITO通孔電容觸摸屏，其特征是：所述的電容功能基板厚度為0.33~0.7毫米的化學強化玻璃基板；所述的裝飾玻璃基板厚度為0.5~2.0毫米的化學強化玻璃基板；所述ITO通孔電極的通孔的個數可以是一個或者數個，通孔電極方式有圓形打孔，橢圓形打孔，三角形打孔，梯形打孔，或長方形打孔。

3.如權利要求2所述的ITO通孔電容觸摸屏，其特征是：所述ITO電極層厚度為50~2000埃米；第一絕緣層的厚度為0.5~3um；所述的ITO通孔電極厚度為50埃米~2000埃米；金屬電極層的厚度為500~4000埃米；第二絕緣層厚度為0.5~3um。

4.如權利要求3所述的ITO通孔電容觸摸屏，其特征是：

所述的金屬鍍膜的金屬膜層為MoNb，AlNd，MoNb堆積而成的三明治結構，厚度按50埃米~500埃米:500埃米~3000埃米:50埃米~500埃米比例搭配，其中MoNb合金材料中Mo和Nb質量比為85~95：5~15，AlNd合金材料中Al和Nd質量比為95~98：2~5。

5.如權利要求4所述的ITO通孔電容觸摸屏，其特征是：所述的ITO包括In2O3和SnO2，其質量比為85~95：5~15。

6.一種制備ITO通孔電容觸摸屏的方法，包括步驟：

ITO電極的形成：

電容功能基板玻璃進行化學強化，再經過ITO鍍膜，使在電容功能基板上形成一層透明及厚度均勻的ITO膜層，其厚度為50埃米~2000埃米；

經過ITO鍍膜的透明基板，在其ITO表面涂布一層厚度均勻的正性光阻材料，光阻涂布厚度為1um~5um；

經過光阻預烤，曝光，顯影，蝕刻，脫光阻膜，最終形成厚度為50~2000埃米及規則ITO圖案或電極；

所述的ITO電極包括電容屏驅動和感應電極，具有規則圖形結構；ITO電極1與ITO電極2在同一層面，相互獨立，相互絕緣，垂直設計；

第一絕緣層的形成:

經過ITO電極后的透明基板，在其ITO膜面涂布一層厚度均勻的負性光阻材料，光阻涂布厚度為0.5um~3um；

經過光阻預烤，曝光，顯影，最終形成厚度為0.5~3um和規則的絕緣層圖案；

ITO通孔電極的形成:

形成第一絕緣層的透明基板，再次經過ITO鍍膜，使在玻璃基板上形成一層透明及厚度均勻的ITO膜層，其厚度為50埃米~2000埃米；

經過ITO鍍膜的透明基板，在其ITO表面涂布一層厚度均勻的正性光阻材料，光阻涂布厚度為1um~5um；

經過光阻預烤，曝光，顯影，蝕刻，脫光阻膜，最終形成厚度為50~2000埃米及規則ITO圖案或電極；

金屬電極層的形成:

形成ITO電極層的透明基板，經過金屬鍍膜，使之在透明基板上形成一層厚度均勻的金屬膜層，其厚度為500埃米~4000埃米；

經過金屬鍍膜的透明基板，在其金屬表面涂布一層厚度均勻的正性光阻材料，光阻涂布厚度為1um~5um；

經過光阻預烤，曝光，顯影，蝕刻，脫光阻膜，最終形成厚度為500~4000埃米及規則金屬圖案或電極；

第二絕緣層的形成:

經過金屬電極后的透明基板，在其金屬膜面涂布一層厚度均勻的負性光阻材料，光阻涂布厚度為0.5um~3um；

經過光阻預烤，曝光，顯影，最終形成厚度為0.5~3um和規則的絕緣層圖案。

7.如權利要求6所述的制備ITO通孔電容觸摸屏的方法，其特征是：所述的電容功能基板為厚度在0.33~0.7毫米的化學強化玻璃基板；所述的ITO包括In2O3和SnO2，其質量比為85~95：5~15。

8.如權利要求7所述的制備ITO通孔電容觸摸屏的方法，其特征是：

所述的正性光阻材料主成分為乙酸丙二醇單甲基醚酯，環氧樹脂及正性感光劑；負性光阻材料主成分為乙酸丙二醇單甲基醚酯，亞克力樹脂，環氧樹脂及負性感光劑。