[發明專利]一種高效四結太陽能電池及其制作方法

無效

• 申請號: 201110234544.0
• 申請日: 2011-08-16
• 公開（公告）號: CN102412337A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 畢京鋒;林桂江;吳志浩;劉建慶;王良均;丁杰;梁兆煊;林志東
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0687;H01L31/0693
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高效四結太陽能電池的制作方法，其包括如下步驟：

提供一雙面拋光襯底，用于半導體外延生長；

在所述襯底正面形成第一子電池，其具有第一帶隙；

在所述第一子電池上方形成漸變緩沖層，其具有大于第一帶隙的第二帶隙；

在所述的漸變緩沖層上方形成第二子電池；其具有大于第二帶隙的第三帶隙；

在所述襯底的背面形成第三子電池，其為倒裝生長，具有小于第一帶隙的第四帶隙；

在所述的第三子電池的下方形成第四子電池，其為倒裝生長，具有小于第四帶隙的第五帶隙；

在所述的第四子電池的下方外延形成背接觸層。

2.根據權利要求1所述的一種高效四結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述雙面拋光襯底是p-InP襯底。

3.根據權利要求1所述的一種高效四結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述雙面拋光襯底的厚度小于或等于200微米。

4.根據權利要求1所述的一種高效四結太陽能電池的制作方法，其特征在于：以襯底本身作為基區，在p型襯底正面注入n型離子形成發射區，構成所述第一子電池。

5.根據權利要求1所述的一種高效四結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述漸變緩沖層為多層結構，其材料是In_XGa_1-XP。

6.根據權利要求1所述的一種高效四結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述第一帶隙為1.3~1.5?eV；所述第二帶隙為1.5~1.8?eV；所述第三帶隙為1.8~2?eV；所述第四帶隙為0.9~1.2?eV；所述第五帶隙為0.6~0.9?eV。

7.根據權利要求1所述的一種高效四結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述第二子電池由p型InAlAs基區和n型InAlAs發射區構成；所述第三子電池由p型InGaAsP基區和n型InGaAsP發射區構成；所述第三子電池由p型InGaAsP基區和n型InGaAsP構成；所述第四子電池由p型InGaAs基區和n型InGaAs發射區構成。

8.一種高效四結太陽能電池，其包括：

一雙面拋光襯底；

第一子電池，由所述襯底正表面注入離子形成，具有一第一帶隙；

漸變緩沖層，形成于第一子電池上方，具有一大于第一帶隙的第二帶隙；

第二子電池，形成于漸變緩沖層上方，具有一大于第二帶隙的第三帶隙；

第三子電池，倒裝生長于所述襯底的背面，具有一小于第一帶隙的第四帶隙；

第四子電池，倒裝生長于第三子電池下方，具有一小于第四帶隙的第五帶隙。

9.根據權利要求8所述的一種高效四結太陽能電池，其特征在于：所述雙面拋光襯底是p-InP襯底。

10.根據權利要求8所述的一種高效四結太陽能電池，其特征在于：所述雙面拋光襯底的厚度小于或等于200微米。

11.根據權利要求8所述的一種高效四結太陽能電池，其特征在于：所述漸變緩沖層為多層結構，其材料是In_XGa_1-XP。

12.根據權利要求8所述的一種高效四結太陽能電池，其特征在于：所述第一帶隙為1.3~1.5?eV；所述第二帶隙為1.5~1.8?eV；所述第三帶隙為1.8~2?eV；所述第四帶隙為0.9~1.2?eV；所述第五帶隙為0.6~0.9?eV。

13.根據權利要求8所述的一種高效四結太陽能電池，其特征在于：所述第二子電池由p型InAlAs基區和n型InAlAs發射區構成；所述第三子電池由p型InGaAsP基區和n型InGaAsP發射區構成；所述第三子電池由p型InGaAsP基區和n型InGaAsP構成；所述第四子電池由p型InGaAs基區和n型InGaAs發射區構成。