[發明專利]一種氧化硅的選擇性刻蝕溶液及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 201110234519.2
• 申請日: 2011-08-16
• 公開（公告）號: CN102254814A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發明（設計）人: 李濤;周春蘭;宋洋;郜志華;羅運強;段野;李友忠;王文靜
• 申請（專利權）人: 中國科學院電工研究所;中輕太陽能電池有限責任公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L31/18
• 代理公司: 北京科迪生專利代理有限責任公司 11251
• 代理人: 關玲

1.一種氧化硅的選擇性刻蝕溶液及其制備方法和應用，其特征是，所述的選擇性刻蝕溶液由質量濃度為1％～10％的氫氟酸溶液和相對介電常數大于氫氟酸相對介電常數83.6的溶劑組成，所述的氫氟酸溶液與所述的溶劑的體積比為1∶1～10∶1。

2.一種權利要求1所述的氧化硅的選擇性刻蝕溶液的制備方法，其特征是，所述的氧化硅的選擇性刻蝕溶液的制備方法，步驟如下：

1)加水稀釋市售的質量濃度為40％的氫氟酸，制備得到質量濃度為1％～10％的氫氟酸溶液；

2)在步驟1)制得氫氟酸溶液中添加相對介電常數大于氫氟酸相對介電常數83.6的溶劑，氫氟酸溶液與溶劑的體積比為1∶1～10∶1，制備得到選擇性刻蝕溶液(1)。

3.權利要求1所述的選擇性刻蝕溶液的用途，其特征是，所述的選擇性刻蝕溶液應用在激光刻蝕硅襯底的工藝步驟之后，用于在同時存在有氧化硅和氮化硅的工作面，去除激光刻蝕區域的氧化硅。

4.按照權利要求3所述的選擇性刻蝕溶液的用途，其特征是，采用所述的選擇性刻蝕溶液去除激光刻蝕區域的氧化硅，步驟如下：

1)將所述的氧化硅的選擇性刻蝕溶液(1)置入頂端裝有滾軸(4)的溶液槽(5)中，所述的選擇性刻蝕溶液(1)恰好沒過滾軸(4)；

2)將經激光刻蝕后的硅襯底(2)置于滾軸(4)上，硅襯底(2)的工作面(3)向下與所述的選擇性刻蝕溶液(1)接觸；

3)驅動硅襯底(2)，使硅襯底(2)隨滾軸(4)旋轉而前進，調節滾軸(4)的速度，使所述的選擇性刻蝕溶液(1)處理工作面(3)的時間為5秒～120秒；

4)在經步驟5)處理過的工作面(3)上進行化學鍍或者電鍍。