[發(fā)明專利]改性聚乙烯醇基膜及其制備方法和偏光片

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110234045.1
• 申請(qǐng)日: 2011-08-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102432899A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐蕊;張維維;黃紅青;黃俊杰;劉權(quán);蔡榮茂;段惠芳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C08J5/18
• 分類號(hào): C08J5/18;C08L29/04;C08K9/06;C08K3/36;G02B5/30;G02B1/10
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 歐陽(yáng)啟明

1.一種改性聚乙烯醇基膜的制備方法，其特征在于，制備步驟包括：

(1)采用氟硅烷對(duì)納米二氧化硅進(jìn)行表面接枝改性，以得到改性納米二氧化硅粉末；

(2)在聚乙烯醇聚合物的水溶液中加入步驟(1)獲得的改性納米二氧化硅粉末，以制備成聚乙烯醇聚合物復(fù)合溶液；

(3)將步驟(2)制備的聚乙烯醇聚合物復(fù)合溶液澆鑄在鑄塑基板的表面上，以得到改性聚乙烯醇基膜。

2.如權(quán)利要求1所述的改性聚乙烯醇基膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中的所述氟硅烷選自十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷、十二氟庚基丙基甲基二甲氧基硅烷、四-甲基-(全氟己基乙基)丙基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三甲氧基硅烷中的一種或多種混合物。

3.如權(quán)利要求1所述的改性聚乙烯醇基膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中的所述納米二氧化硅的粒徑介于35～45納米之間。

4.如權(quán)利要求1所述的改性聚乙烯醇基膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中，添加的所述氟硅烷的質(zhì)量為所述納米二氧化硅質(zhì)量的33～40％。

5.如權(quán)利要求1所述的改性聚乙烯醇基膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，添加的所述改性二氧化硅粉末的質(zhì)量為所述聚乙烯醇聚合物質(zhì)量的4％～8％。

6.如權(quán)利要求1所述的改性聚乙烯醇基膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中還加入羧酸類陰離子型氟碳表面活性劑，其分子式為RF-CH₂-COOH，其中R代表C₆至C₁₀的碳鏈。

7.如權(quán)利要求6所述的改性聚乙烯醇基膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，添加的所述表面活性劑的質(zhì)量為所述聚乙烯醇聚合物質(zhì)量的0.2％～0.3％。

8.一種改性聚乙烯醇基膜，其特征在于，所述改性聚乙烯醇基膜包括聚乙烯醇聚合物、納米二氧化硅基團(tuán)及氟硅烷基團(tuán)，所述改性聚乙烯醇基膜具有下列通式：

其中A基團(tuán)為氟硅烷基團(tuán)；及B基團(tuán)為納米二氧化硅基團(tuán)；

所述氟硅烷基團(tuán)選自十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷、十二氟庚基丙基甲基二甲氧基硅烷、四-甲基-(全氟己基乙基)丙基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三甲氧基硅烷中的一種或多種混合物。

9.如權(quán)利要求8所述的改性聚乙烯醇基膜，其特征在于，所述聚乙烯醇聚合物鍵結(jié)有碘分子，其中接有所述氟硅烷基團(tuán)的納米二氧化硅基團(tuán)是包覆在所述聚乙烯醇聚合物及碘分子的外層。

10.一種改性聚乙烯醇基膜的偏光片，其特征在于，包括：

權(quán)利要求9所述的改性聚乙烯醇基膜；及

貼附在所述改性聚乙烯醇基膜的一個(gè)或兩個(gè)表面上的保護(hù)膜。