[發明專利]單晶硅太陽電池的邊沿鈍化方法、單晶硅太陽電池及其制備方法和光伏組件

有效

• 申請號: 201110233299.1
• 申請日: 2011-08-15
• 公開（公告）號: CN102263167A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 高艷杰;霍楨潮;雷浩
• 申請（專利權）人: 英利能源（中國）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

1.一種單晶硅太陽電池的邊沿鈍化方法，包括：

a)、在刻蝕后的單晶硅太陽能電池的邊沿表面涂覆鈍化微粉組合物，所述鈍化微粉組合物包括：2wt％～30wt％的PbO、5wt％～40wt％的B₂O₃和40wt％～70wt％的SiO₂；

b)、將涂覆過鈍化微粉組合物的單晶硅太陽電池進行高溫燒結。

2.根據權利要求1所述的邊沿鈍化方法，其特征在于，所述高溫燒結具體為將涂覆過鈍化微粉組合物的單晶硅太陽電池依次進行如下工序：

b1)、加熱至450℃～630℃，保溫2min～10min；

b2)、加熱至680℃～830℃，保溫20min～40min；

b3)、降溫至550℃～750℃，保溫10min～40min；

b4)、降至室溫。

3.根據權利要求2所述的邊沿鈍化方法，其特征在于，所述步驟b1)中加熱速率為45℃/min～125℃/min。

4.根據權利要求2所述的邊沿鈍化方法，其特征在于，所述步驟b2)中加熱的速率為30℃/min～80℃/min。

5.根據權利要求2所述的邊沿鈍化方法，其特征在于，所述步驟b3)中降溫的速率為10℃/min～25℃/min。

6.根據權利要求1所述的邊沿鈍化方法，其特征在于，所述鈍化微粉的粒徑小于10μm。。

7.一種單晶硅太陽電池的制備方法，包括：將硅片依次進行清洗、制絨、擴散、刻蝕、鍍膜、印刷、燒結，其特征在于，在所述刻蝕和燒結工序之間還包括：權利要求1所述的邊沿鈍化工序。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述邊沿鈍化工序位于所述印刷和燒結工序之間。

9.一種單晶硅太陽電池，其特征在于，其邊沿表面覆有鈍化膜，所述鈍化膜包括：2wt％～30wt％的PbO、5wt％～40wt％的B₂O₃和40wt％～70wt％的SiO₂。

10.一種光伏組件，其特征在于，包括基板和密封于所述基板側邊的密封部；所述基板包括依次設置的：面板、面膠膜、電池片、背膠膜和背板；其特征在于，所述電池片由權利要求9所述的單晶硅太陽電池組合構成。