[發(fā)明專利]磁控管、濺射腔室裝置和濺射設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110233023.3
• 申請(qǐng)日: 2011-08-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102938358A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-02-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邊國(guó)棟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01J23/087
• 分類(lèi)號(hào): H01J23/087;H01J25/50;H01J37/34
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 賈玉姣

1.一種磁控管，其特征在于，包括：

外磁極，所述外磁極具有第一磁極性；

內(nèi)磁極，所述內(nèi)磁極具有與所述第一磁極性相反的第二磁極性，所述內(nèi)磁極設(shè)在所述外磁極的內(nèi)部，所述內(nèi)磁極與所述外磁極之間的間隙限定出一條連續(xù)閉合的軌道，所述內(nèi)磁極包括第一和第二內(nèi)磁極段，所述第一和第二內(nèi)磁極段均為漸開(kāi)線形狀，所述第一和第二內(nèi)磁極段繞同一基圓沿相反方向展開(kāi)且所述第一和第二內(nèi)磁極的內(nèi)端相連，其中所述外磁極和所述內(nèi)磁極中的每一個(gè)均相對(duì)于所述基圓的圓心中心對(duì)稱。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控管，其特征在于，所述間隙的寬度恒定。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控管，其特征在于，所述間隙的寬度為1英寸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控管，其特征在于，所述內(nèi)磁極和所述外磁極的寬度相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控管，其特征在于，所述基圓的半徑為25毫米。

6.一種濺射腔室裝置，其特征在于，包括：

腔室本體，所述腔室本體內(nèi)限定有腔室，所述腔室本體的上端敞開(kāi)；

靶材，所述靶材設(shè)在所述腔室本體的上端以便所述靶材的下表面暴露到所述腔室內(nèi)；

磁控管，所述磁控管設(shè)在所述靶材上方，其中所述磁控管是根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的磁控管；和

驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)與所述磁控管相連以驅(qū)動(dòng)所述磁控管在所述靶材上方旋轉(zhuǎn)。

7.一種濺射設(shè)備，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求6所述的濺射腔室裝置。