[發明專利]一種增強鋁制程金屬層與光阻附著力的表面處理方法

有效

• 申請號: 201110232265.0
• 申請日: 2011-08-15
• 公開（公告）號: CN102543846A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 張亮;姬峰;李磊;陳玉文;胡友存
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/312
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種增強金屬層與光阻附著力的表面處理方法，用在金屬層上涂覆光刻膠方法中，其中，在基底上制成有金屬層及覆蓋在金屬層上的金屬阻擋層，其特征在于，主要包括以下步驟：

在反應腔室中通入含氧氣體并對含氧氣體進行等離子化，對所述覆蓋在金屬層上方的金屬阻擋層進行高溫等離子體氧化熱處理，生成一層位于所述覆蓋在金屬層上方的金屬阻擋層表面的金屬氧化物薄層；

??在反應腔室中通入硅基有機物化合物氣體，在所述金屬氧化物薄層表面上對所述硅基有機物化合物進行化學吸附而產生一層吸附層，之后將反應腔室內多余的所述硅基有機物化合物氣體抽離，僅保留位于所述金屬氧化物薄層表面上的吸附層；

將所述吸附層在等離子體活化反應下生成一層第一粘結過渡層，所述金屬氧化物薄層與所述第一粘結過渡層用于加強HMDS或光阻與金屬層及位于金屬層上方的金屬阻擋層的粘附力。

2.根據權利要求1所述的增強鋁制程金屬層與光阻附著力的表面處理方法，其特征在于，所述金屬層與所述基底之間還設置有一層金屬阻擋層。

3.根據權利要求1所述的增強鋁制程金屬層與光阻附著力的表面處理方法，其特征在于，所述覆蓋在金屬層上的金屬阻擋層的材料為氮化鈦（?TiN）。

4.根據權利要求3所述的增強鋁制程金屬層與光阻附著力的表面處理方法，其特征在于，所述金屬層與基底之間的金屬阻擋層的材料為鈦（Ti）和氮化鈦的混合層。

5.根據權利要求1所述的增強鋁制程金屬層與光阻附著力的表面處理方法，其特征在于，所述金屬層為鋁或者鋁銅合金。

6.根據權利要求1所述的一種增強鋁制程金屬層與光阻附著力的表面處理方法，其特征在于，對所述鋁金屬層基底進行高溫等離子體氧化熱處理步驟中，所述高溫的溫度范圍為：100℃-700℃。

7.根據權利要求1所述的一種增強鋁制程金屬層與光阻附著力的表面處理方法，其特征在于，對所述鋁金屬層基底進行高溫等離子體氧化熱處理步驟中，所述氧化氣體是氧氣，臭氧，二氧化碳中的任一種。