[發(fā)明專利]嵌入BCD工藝的EEPROM核結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110231902.2
• 申請日: 2011-08-12
• 公開（公告）號: CN102263110A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉建華
• 申請（專利權(quán)）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;G11C16/04;H01L21/8247
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸嘉

1.一種嵌入BCD工藝的EEPROM核結(jié)構(gòu)，包括相串聯(lián)的選擇管和存儲管，其特征在于，所述選擇管為LDNMOS晶體管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入BCD工藝的EEPROM核結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述存儲管的浮柵的平面圖形為中空的方框形，包括沿第一方向延伸的第一邊和第二邊，沿第二方向延伸的第三邊和第四邊，其中第一方向平行于所述存儲管的有源區(qū)的延伸方向，第二方向垂直于第一方向，所述存儲管有源區(qū)位于第一邊和第二邊之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的嵌入BCD工藝的EEPROM核結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述LDNMOS晶體管的源區(qū)和所述存儲管的漏區(qū)相鄰接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的嵌入BCD工藝的EEPROM核結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三邊靠近存儲管的漏區(qū)，所述第四邊靠近存儲管的源區(qū)，所述存儲管的隧道注入層位于所述第三邊下方的存儲管有源區(qū)中。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的嵌入BCD工藝的EEPROM核結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述存儲管的隧穿介質(zhì)層位于所述第三邊下方、位于所述隧道注入層上方，所述第四邊下方具有隔離介質(zhì)層，所述隔離介質(zhì)層的厚度與所述選擇管柵介質(zhì)層的厚度相同且大于所述隧穿介質(zhì)層的厚度。

6.一種嵌入BCD工藝的EEPROM核結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底中形成N阱、有源區(qū)和P阱，所述有源區(qū)包括位于所述N阱中的選擇管有源區(qū)和位于所述P阱中的存儲管有源區(qū)；

對所述存儲管有源區(qū)進行隧道離子注入，在所述存儲管有源區(qū)中形成隧道注入層；

在所述選擇管有源區(qū)上形成選擇管柵介質(zhì)層，在所述隧道注入層上形成存儲管的隧穿介質(zhì)層；

在所述選擇管柵介質(zhì)層上形成選擇管柵極，在所述隧穿介質(zhì)層上形成存儲管的浮柵；

在所述存儲管的浮柵上依次形成浮柵介質(zhì)層和控制柵，其中浮柵介質(zhì)層覆蓋所述浮柵，控制柵覆蓋所述浮柵介質(zhì)層；

在所述選擇管柵極兩側(cè)的選擇管有源區(qū)中形成選擇管的源區(qū)和漏區(qū)，在所述控制柵兩側(cè)的存儲管有源區(qū)中形成存儲管的源區(qū)和漏區(qū)，其中，選擇管為LDNMOS晶體管。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的嵌入BCD工藝的EEPROM核結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述選擇管柵介質(zhì)層上形成選擇管柵極，在所述隧穿介質(zhì)層上形成存儲管的浮柵包括：形成第一多晶硅層，并對其進行刻蝕以形成所述選擇管柵極和浮柵，所述浮柵的平面圖形為中空的方框形，包括沿第一方向延伸的第一邊和第二邊，沿第二方向延伸的第三邊和第四邊，其中第一方向平行于所述存儲管有源區(qū)的延伸方向，第二方向垂直于第一方向，所述存儲管有源區(qū)位于第一邊和第二邊之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的嵌入BCD工藝的EEPROM核結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述選擇管的源區(qū)和所述存儲管的漏區(qū)相鄰接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的嵌入BCD工藝的EEPROM核結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第三邊靠近存儲管的漏區(qū)，所述第四邊靠近存儲管的源區(qū)，所述第三邊覆蓋所述存儲管的隧道注入層。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的嵌入BCD工藝的EEPROM核結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成所述選擇管柵介質(zhì)層和存儲管的隧穿介質(zhì)層的過程中，還在所述存儲管有源區(qū)上形成隔離介質(zhì)層，所述浮柵的第四邊形成于所述隔離介質(zhì)層上，所述隔離介質(zhì)層的厚度與所述選擇管柵介質(zhì)層的厚度相同且大于所述隧穿介質(zhì)層的厚度。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的嵌入BCD工藝的EEPROM核結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述控制柵的形成過程包括：形成第二多晶硅層，并對其進行刻蝕以形成所述存儲管的控制柵，并形成外圍電路的電容極板。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的嵌入BCD工藝的EEPROM核結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述選擇管和存儲管的源區(qū)和漏區(qū)之后，還包括：

在所述選擇管和存儲管的源區(qū)和漏區(qū)的表面形成金屬硅化物；

形成層間介質(zhì)層，覆蓋所述選擇管和存儲管；

在所述選擇管和存儲管的源區(qū)和漏區(qū)、選擇管柵極和/或存儲管的控制柵上方的層間介質(zhì)層中形成接觸孔；

在所述接觸孔中填充互連結(jié)構(gòu)。