[發(fā)明專利]提高M(jìn)OS器件窄寬度效應(yīng)的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110231901.8
• 申請(qǐng)日: 2011-08-12
• 公開（公告）號(hào): CN102931126A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙猛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種提高M(jìn)OS器件窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，包括：

提供具有淺溝槽的半導(dǎo)體襯底，所述淺溝槽內(nèi)壁形成有襯氧化層；

向所述淺溝槽中填充絕緣氧化層，并平坦化所述絕緣氧化層形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成暴露出所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的圖案化掩膜層；

以所述圖案化掩膜層為掩膜，向所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的表層注入離子；

移除所述圖案化掩膜層并快速退火，在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中形成摻雜阻擋層。

2.如權(quán)利要求1所述的提高M(jìn)OS器件窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，采用等離子體注入和反沖注入工藝向所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的表層注入離子。

3.如權(quán)利要求2所述的提高M(jìn)OS器件窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，所述MOS器件為NMOS器件時(shí)，向所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的表層注入的離子包括硼離子、氟化硼離子和銦離子中的至少一種。

4.如權(quán)利要求3所述的提高M(jìn)OS器件窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，所述硼離子、氟化硼離子或銦離子注入的能量為1KeV～50KeV，劑量為1E15～1E16/cm²。

5.如權(quán)利要求3所述的提高M(jìn)OS器件窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，所述MOS器件為NMOS器件時(shí)，向所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的表層注入的離子還包括鍺離子或氙離子。

6.如權(quán)利要求5所述的提高M(jìn)OS器件窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，所述鍺離子或氙離子注入的能量為1KeV～10KeV，劑量為5E14～5E15/cm²。

7.如權(quán)利要求1所述的提高M(jìn)OS器件窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，所述快速退火的溫度800℃～1000℃，時(shí)間為30min～120min。

8.如權(quán)利要求1所述的提高M(jìn)OS器件窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，所述快速退火的溫度1000℃～1300℃，時(shí)間為10s～1min，溫度梯度為50℃/s～250℃/s。

9.如權(quán)利要求1所述的提高M(jìn)OS器件窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，采用高深寬比工藝刻蝕所述半導(dǎo)體襯底形成淺溝槽。

10.如權(quán)利要求9所述的提高M(jìn)OS器件窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，形成淺溝槽之前，還包括：

在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成墊氧化層和腐蝕阻擋層。

11.如權(quán)利要求10所述的提高M(jìn)OS器件窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，所述腐蝕阻擋層為氮化硅層。

12.如權(quán)利要求9所述的提高M(jìn)OS器件窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，采用高深寬比工藝向所述淺溝槽中填充絕緣氧化層。

13.如權(quán)利要求1或12所述的提高M(jìn)OS器件窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，采用高密度等離子化學(xué)氣相沉積工藝向所述淺溝槽中填充絕緣氧化層。