[發明專利]電容式麥克風的薄膜結構及其的形成方法

有效

• 申請號: 201110231666.4
• 申請日: 2011-08-12
• 公開（公告）號: CN102932719A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 劉國安;劉煊杰;何云
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H04R19/04
• 分類號: H04R19/04;H04R31/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種電容式麥克風的薄膜結構，其特征在于，包括：

基底，位于所述基底上的復合多晶硅層，所述復合多晶硅層至少包括一層摻雜多晶硅層及一層與所述摻雜多晶硅層不同層的未摻雜多晶硅層。

2.如權利要求1所述的電容式麥克風的薄膜結構，其特征在于，所述摻雜多晶硅層內的摻雜離子為磷離子或硼離子。

3.如權利要求1所述的電容式麥克風的薄膜結構，其特征在于，所述摻雜多晶硅層內的摻雜離子濃度范圍為1.0E17atom/cm³～1.0E19atom/cm³。

4.如權利要求1所述的電容式麥克風的薄膜結構，其特征在于，所述摻雜多晶硅層的數目為一層或一層以上，所述未摻雜多晶硅層的數目為一層或一層以上，其中摻雜多晶硅層和未摻雜多晶硅層交替設置。

5.如權利要求4所述的電容式麥克風的薄膜結構，其特征在于，所述復合多晶硅層包括位于所述基底上的第一摻雜多晶硅層，位于所述第一摻雜多晶硅層表面的未摻雜多晶硅層，及位于所述未摻雜多晶硅層表面的第二摻雜多晶硅層。

6.如權利要求1所述的電容式麥克風的薄膜結構，其特征在于，所述摻雜多晶硅層的厚度范圍為0.5μm～2.5μm，所述未摻雜多晶硅層的厚度范圍為0.3μm～2.0μm。

7.一種電容式麥克風的薄膜結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成復合多晶硅層，所述復合多晶硅層至少包括一層摻雜多晶硅層及與一層與所述摻雜多晶硅層不同層的未摻雜多晶硅層。

8.如權利要求7所述的薄膜結構的形成方法，其特征在于，形成所述摻雜多晶硅包括：在沉積多晶硅時，同時對所述多晶硅進行離子摻雜，形成摻雜多晶硅層。

9.如權利要求7所述的薄膜結構的形成方法，其特征在于，所述離子摻雜的離子為磷離子或硼離子。

10.如權利要求7所述的電容式麥克風的薄膜結構的形成方法，其特征在于，所述摻雜多晶硅層的工藝參數為：沉積多晶硅的溫度范圍為560℃-580℃，摻雜離子濃度范圍為1.0E17atom/cm³～1.0E19atom/cm³，沉積時間范圍為3小時～5小時。

11.如權利要求7所述的電容式麥克風的薄膜結構的形成方法，其特征在于，所述未摻雜多晶硅層的工藝參數為：沉積溫度范圍為600℃～650℃，沉積時間范圍為1小時～2小時。

12.如權利要求7所述的電容式麥克風的薄膜結構的形成方法，其特征在于，形成所述摻雜多晶硅層后還包括對所述摻雜多晶硅層進行退火工藝。

13.如權利要求12所述的電容式麥克風的薄膜結構的形成方法，其特征在于，所述退火工藝的參數為：退火溫度范圍為1050～1150℃，所述退火時間范圍為30分鐘～60分鐘。

14.如權利要求7所述的電容式麥克風的薄膜結構的形成方法，其特征在于，所述形成復合多晶硅層包括：在所述基底上形成第一摻雜多晶硅層；接著在所述第一摻雜多晶硅層表面形成未摻雜多晶硅層；然后在所述未摻雜多晶硅層表面形成第二摻雜多晶硅層。

15.如權利要求14所述的電容式麥克風的薄膜結構的形成方法，其特征在于，形成所述第一摻雜多晶硅層的溫度范圍為560℃-580℃，時間范圍為1～3小時；形成所述未摻雜多晶硅層的溫度范圍為600℃-650℃，時間范圍為1～2小時；形成所述第二摻雜多晶硅層的溫度范圍為560℃-580℃，時間范圍為1～3小時。