[發明專利]碳納米管/硅巢狀陣列作為具有表面增強拉曼散射效應的活性基底的應用

無效

• 申請號: 201110231296.4
• 申請日: 2011-08-12
• 公開（公告）號: CN102323248A
• 公開（公告）日: 2012-01-18
• 發明（設計）人: 姜衛粉;李幸福;單雯雯;王玉生;宋曉燕;李藝星;許磊;張靜;羅世鈞
• 申請（專利權）人: 華北水利水電學院
• 主分類號: G01N21/65
• 分類號: G01N21/65;B82Y15/00
• 代理公司: 鄭州睿信知識產權代理有限公司 41119
• 代理人: 陳浩

1.一種碳納米管/硅巢狀陣列作為具有表面增強拉曼散射效應的活性基底的應用。

2.根據權利要求1所述的碳納米管/硅巢狀陣列作為具有表面增強拉曼散射效應的活性基底的應用，其特征在于，所述的碳納米管/硅巢狀陣列活性基底在用于檢測溶液中若丹明6G分子時，可檢測出溶液中濃度為10^-6?mol/L的若丹明6G分子。

3.根據權利要求2所述的碳納米管/硅巢狀陣列作為具有表面增強拉曼散射效應的活性基底的應用，其特征在于，采用所述的碳納米管/硅巢狀陣列活性基底檢測溶液中若丹明6G分子的檢測方法為：將碳納米管/硅巢狀陣列活性基底置入10^-6?mol/L的若丹明6G水溶液中浸泡30分鐘，取出，在空氣條件下晾干，之后做拉曼光譜測試。

4.根據權利要求3所述的碳納米管/硅巢狀陣列作為具有表面增強拉曼散射效應的活性基底的應用，其特征在于，拉曼光譜的測試條件為：采用波長為532?nm的綠光作光源，曝光時間20秒，掃描2次，波數掃描范圍為400?cm^-1～1800?cm^-1。