[發明專利]一種基于柔性襯底的憶阻器器件及其制作方法

無效

• 申請號: 201110230879.5
• 申請日: 2011-08-12
• 公開（公告）號: CN102931345A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 劉明;李穎弢;龍世兵;劉琦;呂杭炳
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種基于柔性襯底的憶阻器器件，其特征在于，包括：

柔性襯底(100)；

形成于該柔性襯底(100)之上的下電極(101)；

形成于該下電極(101)之上的記憶存儲層(102)；以及

形成于該記憶存儲層(102)之上的上電極(103)。

2.根據權利要求1所述的基于柔性襯底的憶阻器器件，其特征在于，所述柔性襯底(100)由聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚對苯二甲酸乙二醇酯中的任意一種材料構成，或者由聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚對苯二甲酸乙二醇酯共混制備的聚合物材料構成。

3.根據權利要求1所述的基于柔性襯底的憶阻器器件，其特征在于，所述下電極(101)和所述上電極(103)采用導電材料Al、Cu、Ti、Ta、Ni、ITO或IZO制作而成。

4.根據權利要求1所述的基于柔性襯底的憶阻器器件，其特征在于，所述記憶存儲層(102)由無機材料、有機材料或非晶硅中的任意一種材料構成，或者由無機材料、有機材料或非晶硅中任意一種材料經過摻雜改性后形成的材料構成，或者由無機材料、有機材料或非晶硅中的任意兩種或多種組成的雙層以及多層材料構成。

5.一種基于柔性襯底的憶阻器器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一柔性襯底(100)；

在該柔性襯底(100)之上生長下電極(101)；

在該下電極(101)之上生長記憶存儲層(102)；以及

在該記憶存儲層(102)之上生長上電極(103)。

6.根據權利要求5所述的基于柔性襯底的憶阻器器件的制作方法，其特征在于，所述柔性襯底(100)由聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚對苯二甲酸乙二醇酯中的任意一種材料構成，或者由聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚對苯二甲酸乙二醇酯共混制備的聚合物材料構成。

7.根據權利要求5所述的基于柔性襯底的憶阻器器件的制作方法，其特征在于，所述下電極(101)和所述上電極(103)采用導電材料Al、Cu、Ti、Ta、Ni、ITO或IZO制作而成。

8.根據權利要求5所述的基于柔性襯底的憶阻器器件的制作方法，其特征在于，所述下電極(101)和所述上電極(103)采用電子束蒸發或濺射方法形成。

9.根據權利要求5所述的基于柔性襯底的憶阻器器件的制作方法，其特征在于，所述記憶存儲層(102)由無機材料、有機材料或非晶硅中的任意一種材料構成，或者由無機材料、有機材料或非晶硅中任意一種材料經過摻雜改性后形成的材料構成，或者由無機材料、有機材料或非晶硅中的任意兩種或多種組成的雙層以及多層材料構成。

10.根據權利要求5所述的基于柔性襯底的憶阻器器件的制作方法，其特征在于，所述記憶存儲層(102)采用電子束蒸發、濺射或旋涂方法形成。