[發明專利]處理和/或檢測污染的氣體的熱解方法、催化劑和設備

無效

• 申請號: 201110230702.5
• 申請日: 2011-06-28
• 公開（公告）號: CN102423632A
• 公開（公告）日: 2012-04-25
• 發明（設計）人: L·E·蒙森;D·E·倫德
• 申請（專利權）人: 霍尼韋爾國際公司
• 主分類號: B01D53/88
• 分類號: B01D53/88;B01D53/68
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 范赤;楊思捷

1.一種用于處理包含含氟化合物的氣體物流的方法，該方法包括在水存在下將該氣體物流與含有鎢酸化氧化鋯或硫酸化氧化鋯的催化劑接觸以熱解至少部分所述含氟化合物。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述含氟化合物包括全氟化化合物。

3.如權利要求2所述的方法，其中所述全氟化化合物包括全氟化碳化合物。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述全氟化化合物包括選自由三氟化氮、六氟化硫、四氟甲烷、六氟乙烷、八氟丙烷、八氟環戊烯、十氟丁烷及其混合物組成的組中的化合物。

5.如權利要求1-4中任一項所述的方法，其中所述催化劑包括BET表面積為約1m²/g至約150m²/g的氧化鋯載體。

6.如權利要求1-5中任一項所述的方法，其中所述催化劑包括氧化鋯為正方晶相、單斜相或兩種相的組合的氧化鋯載體。

7.如權利要求1-6中任一項所述的方法，其中所述催化劑包括鎢酸化氧化鋯。

8.如權利要求7所述的方法，其中所述鎢酸化氧化鋯包括以重量計為約5％至約20％的鎢。

9.一種用于熱解含氟化合物的設備，該設備包括：

(a)反應器，其具有(i)用于進料包含含氟化合物的氣體物流至容納在該反應器中的催化劑的進口和(ii)用于在氣體流出物與該反應器中的所述催化劑接觸后排放經處理的流出物物流的出口，以及

(b)用于加熱催化劑的加熱器，

其中所述催化劑包含鎢酸化氧化鋯或硫酸化氧化鋯。

10.一種半導體制備方法，其包括：

(a)將半導體材料暴露于反應性的蝕刻氣體以產生包含含氟化合物的氣體物流，和

(b)在水存在下將所述氣體物流與含鎢酸化氧化鋯或硫酸化氧化鋯的催化劑接觸以熱解至少部分所述含氟化合物。