[發明專利]控制金屬氧化物半導體單元的功耗的方法和設備

無效

• 申請號: 201110230476.0
• 申請日: 2011-08-09
• 公開（公告）號: CN102931961A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 歐陽茜
• 申請（專利權）人: 成都芯源系統有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種用于控制金屬氧化物半導體MOS單元的功耗的方法，包括：

確定所述MOS單元的負載狀態；以及

根據所確定的負載狀態而配置所述MOS單元，以調節所述MOS單元的驅動功耗。

2.根據權利要求1所述的方法，其中根據所確定的負載狀態配置所述MOS單元包括：

響應于確定所述MOS單元處于輕負載狀態，配置所述MOS單元以降低所述驅動功耗。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述MOS單元包括并聯連接的多個MOS器件，并且其中配置所述MOS單元以降低所述驅動功耗包括：

屏蔽所述多個MOS器件中的一個或多個MOS器件。

4.根據權利要求3所述的方法，其中屏蔽所述多個MOS器件中的一個或多個MOS器件包括：

禁用所述一個或多個MOS器件的驅動電壓。

5.根據權利要求2所述的方法，其中配置所述MOS單元以降低所述驅動功耗包括：

降低所述MOS單元的驅動電壓。

6.根據權利要求3所述的方法，還包括：

響應于確定所述MOS單元轉變為重負載狀態，解除對所述一個或多個MOS器件的屏蔽。

7.根據權利要求5所述的方法，還包括：

響應于確定所述MOS單元轉變為重負載狀態，將所述MOS單元的所述驅動電壓恢復到正常水平。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述MOS單元的負載狀態基于以下至少一個來確定：與所述MOS單元關聯的主設備的運行狀態，以及對所述MOS單元的電學參數的測量。

9.根據權利要求1-8任一項所述的方法，其中所述MOS器件是金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET。

10.一種用于控制金屬氧化物半導體MOS單元的功耗的設備，包括：

負載確定裝置，配置用于確定所述MOS單元的負載狀態；以及

功耗控制裝置，配置用于根據所確定的負載狀態配置所述MOS單元，以調節所述MOS單元的驅動功耗。

11.根據權利要求10所述的設備，其中所述功耗控制裝置包括：

驅動功耗降低裝置，配置用于響應于確定所述MOS單元處于輕負載狀態而配置所述MOS單元以降低所述驅動功耗。

12.根據權利要求11所述的設備，其中所述MOS單元包括并聯連接的多個MOS器件，并且其中所述驅動功耗降低裝置包括：

屏蔽裝置，配置用于屏蔽所述多個MOS器件中的一個或多個MOS器件。

13.根據權利要求12所述的設備，其中所述屏蔽裝置包括：

配置用于禁用所述一個或多個MOS器件的驅動電壓的裝置。

14.根據權利要求11所述的設備，其中所述驅動功耗降低裝置包括：

驅動電壓降低裝置，配置用于降低所述MOS單元的驅動電壓。

15.根據權利要求12所述的設備，其中所述驅動功耗降低裝置包括：

解除屏蔽裝置，配置用于響應于確定所述MOS單元轉變為重負載狀態而解除對所述一個或多個MOS器件的屏蔽。

16.根據權利要求14所述的設備，其中所述驅動功耗降低裝置包括：

驅動電壓恢復裝置，響應于確定所述MOS單元轉變為重負載狀態而將所述MOS單元的所述驅動電壓恢復到正常水平。

17.根據權利要求10所述的設備，其中所述負載確定裝置配置用于基于以下至少一個來確定所述MOS單元的負載狀態：與所述MOS單元關聯的主設備的運行狀態，以及對所述MOS單元的電學參數的測量。

18.根據權利要求10-17任一項所述的設備，其中所述MOS器件是金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET。

19.一種集成電路IC，包含根據權利要求10-18任一項所述的用于管理金屬氧化物半導體MOS單元的功耗的設備。

20.一種系統芯片SOC，包含根據權利要求10-18任一項所述的用于管理金屬氧化物半導體MOS單元的功耗的設備。