[發明專利]包括多個石墨烯溝道層的石墨烯電子器件

有效

• 申請號: 201110230441.7
• 申請日: 2011-08-12
• 公開（公告）號: CN102569398A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 鄭現鐘;李載泓;李載昊;申炯澈;徐順愛;李晟熏;許鎮盛;梁喜準
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社;首爾大學校產學協力團
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種石墨烯電子器件，具有多個石墨烯溝道層，所述石墨烯電子器件包括：

基板；

形成在所述基板上的柵電極；

第一柵絕緣膜，覆蓋所述基板上的所述柵電極；

多個石墨烯溝道層，形成在所述第一柵絕緣膜上，并具有位于所述多個石墨烯溝道層之間的第二柵絕緣膜；和

源電極和漏電極，連接到所述多個石墨烯溝道層的每個的兩邊緣。

2.如權利要求1所述的石墨烯電子器件，其中所述多個石墨烯溝道層包括在所述第一柵絕緣膜上的第一石墨烯溝道層和在所述第二柵絕緣膜上的第二石墨烯溝道層。

3.如權利要求2所述的石墨烯電子器件，其中所述柵電極嵌入在所述基板中，且所述柵電極的上表面接觸所述第一柵絕緣膜。

4.如權利要求2所述的石墨烯電子器件，其中所述基板是作為柵電極的導電基板。

5.如權利要求2所述的石墨烯電子器件，其中所述第二柵絕緣膜具有從大約10nm到大約200nm范圍的厚度。

6.如權利要求2所述的石墨烯電子器件，其中所述源電極和所述漏電極形成在所述第一石墨烯溝道層和所述第二石墨烯溝道層上以分別接觸所述第一石墨烯溝道層和所述第二石墨烯溝道層的兩邊緣。

7.如權利要求6所述的石墨烯電子器件，其中所述第一石墨烯溝道層具有大于所述第二石墨烯溝道層的長度。

8.如權利要求1所述的石墨烯電子器件，其中所述第二柵絕緣膜由選自硅氧化物、硅氮化物、鉿氧化物和鋁氧化物構成的組的材料形成。

9.一種石墨烯電子器件，具有多個石墨烯溝道層，所述石墨烯電子器件包括：

基板；

多個石墨烯溝道層，形成在所述基板上，并具有位于所述多個石墨烯溝道層之間的第二柵絕緣膜；

源電極和漏電極，連接到所述多個石墨烯溝道層的每個的兩邊緣；

第一柵絕緣膜，覆蓋所述源電極和所述漏電極之間的所述多個石墨烯溝道層；和

柵電極，形成在所述第一柵絕緣膜上。

10.如權利要求9所述的石墨烯電子器件，其中所述多個石墨烯溝道層包括在所述第二柵絕緣膜上的第一石墨烯溝道層和被所述第二柵絕緣膜覆蓋的第二石墨烯溝道層。

11.如權利要求10所述的石墨烯電子器件，其中所述第二柵絕緣膜具有在從大約10nm到大約200nm范圍的厚度。

12.如權利要求10所述的石墨烯電子器件，其中所述源電極和所述漏電極形成在所述第一石墨烯溝道層和所述第二石墨烯溝道層上以分別接觸所述第一石墨烯溝道層和所述第二石墨烯溝道層的兩邊緣。

13.如權利要求12所述的石墨烯電子器件，其中所述第二石墨烯溝道層具有大于所述第一石墨烯溝道層的長度。

14.如權利要求10所述的石墨烯電子器件，其中所述第二柵絕緣膜由選自硅氧化物、硅氮化物、鉿氧化物和鋁氧化物構成的組的材料形成。