[發明專利]一種半導體器件的制作方法

有效

• 申請號: 201110230301.X
• 申請日: 2011-08-11
• 公開（公告）號: CN102931073A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 高永亮;張花威;孫曉峰
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮;李辰

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于包括步驟：

1).提供一半導體襯底；在所述半導體襯底上依次形成介質層、柵層、抗反射層和光刻膠層，其中所述抗反射層包括位于柵層上的氮氧化硅層和位于氮氧化硅層上的二氧化硅層；

2).在光刻膠上光刻出一帶有半導體器件功能性的微圖案；以該光刻膠層為掩模，對抗反射層進行刻蝕，將上述微圖案轉移到抗反射層上；以上述光刻膠層和抗反射層為掩模，對柵層進行刻蝕，將上述微圖案轉移到柵層上，在所述半導體襯底和介質層上形成半導體器件功能性的微圖案窗口；

3)、干法刻蝕去除所述微圖案窗口兩側的光刻膠層，使大部分光刻膠層去除，同時形成自然氧化層和殘留有機物的混合層；

4)、第一次濕法刻蝕，包括：

氫氟酸清洗，清洗時間10至15秒，以去除自然氧化層和抗反射層中的部分二氧化硅層；

硫酸、雙氧水混合清洗，清洗時間大于10分鐘，以清除殘留有機物；

5)、第二次濕法刻蝕，包括再次氫氟酸清洗，清洗時間為70至150秒，以清除第一次濕法刻蝕未能完全清除的二氧化硅殘留；

磷酸清洗，清洗時間大于10分鐘，以清除抗反射層中的氮氧化硅層；

2.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：所述氫氟酸兌水的比例為1∶100。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：所述硫酸、雙氧水混合物兌水的比例為1∶10。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：所述介質層為二氧化硅或氮氧化硅中的一種。

5.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：所述柵層為多晶硅層。

6.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：所述步驟2)中，對抗反射層進行刻蝕時，采用干法刻蝕的方法，刻蝕氣體為SF₆、CF₄或C₂F₂中的一種

7.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：所述步驟2)中，對柵層進行刻蝕時，采用干法刻蝕的方法，刻蝕氣體為Cl₂。