[發(fā)明專(zhuān)利]基座及具有該基座的用于化學(xué)氣相沉積的設(shè)備

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110230111.8
• 申請(qǐng)日: 2011-08-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102373442A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李元伸
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星LED株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): C23C16/458
• 分類(lèi)號(hào): C23C16/458
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 郭鴻禧;王占杰

1.一種基座，所述基座包括：

主體，被構(gòu)造成包括具有不平坦表面的安裝單元；和

基底支撐單元，被構(gòu)造成位于所述安裝單元上，

其中，所述基底支撐單元的底表面具有與所述安裝單元的形狀對(duì)應(yīng)的形狀，并且所述安裝單元包括排氣孔以向所述基底支撐單元排放氣體。

2.如權(quán)利要求1所述的基座，其中，所述安裝單元包括圓錐形的凸起部分或圓錐形的凹進(jìn)部分。

3.如權(quán)利要求2所述的基座，其中，所述安裝單元包括斜面，并且所述排氣孔形成在所述斜面上。

4.如權(quán)利要求1所述的基座，其中，所述基底支撐單元通過(guò)所述氣體與所述主體分離。

5.如權(quán)利要求4所述的基座，其中，間隙形成在所述基底支撐單元和所述主體之間以允許所述氣體的流動(dòng)。

6.如權(quán)利要求1所述的基座，其中，所述氣體從所述排氣孔沿傾斜方向排放出，并且

所述基底支撐單元因所述氣體的粘性而旋轉(zhuǎn)。

7.如權(quán)利要求1所述的基座，其中，所述氣體為氮?dú)饣驓錃狻?/p>

8.一種用于化學(xué)氣相沉積的設(shè)備，所述設(shè)備包括：

反應(yīng)室，被構(gòu)造為提供有反應(yīng)氣體；和

基座，被構(gòu)造為包括旋轉(zhuǎn)地安裝到所述反應(yīng)室的主體和可移動(dòng)地連接到所述主體的基底支撐單元，

其中，所述主體設(shè)置有包括斜面的安裝單元，并且所述基底支撐單元設(shè)置有與所述安裝單元的斜面對(duì)應(yīng)的斜面。

9.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，所述設(shè)備還包括：

供氣管，設(shè)置到所述主體以提供用于使所述基底支撐單元浮起的氣體；

熱源，將熱提供至所述反應(yīng)室；和

傳送單元，傳送所述基底支撐單元。

10.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中，所述安裝單元包括凸起部分，并且所述基底支撐單元包括凹進(jìn)部分。

11.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中，所述安裝單元具有圓錐形形狀。

12.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中，所述安裝單元包括凹進(jìn)部分，并且所述基底支撐單元包括凸起部分。

13.如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，所述凸起部分具有圓錐形形狀。

14.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中，所述安裝單元的斜面包括與所述供氣管流體連通的排氣孔。

15.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中，所述基底支撐單元通過(guò)所述氣體與所述主體分離。

16.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中，所述基底由涂覆有碳化硅的碳組成。