[發(fā)明專利]帶有絕緣埋層的圖像傳感器的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110229920.7
• 申請日: 2011-08-11
• 公開（公告）號: CN102332461A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 尚巖峰;張俊超;汪輝;陳杰;汪寧;苗田樂
• 申請（專利權(quán)）人: 上海中科高等研究院
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 孫佳胤;翟羽

1.一種帶有絕緣埋層的圖像傳感器的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供支撐襯底；

在支撐襯底的驅(qū)動電路區(qū)域和光學(xué)傳感區(qū)域交界處形成隔離溝槽；

在溝槽中填充絕緣介質(zhì)，以形成絕緣側(cè)墻；

在支撐襯底的驅(qū)動電路區(qū)域中形成絕緣埋層，絕緣埋層的深度不大于隔離溝槽的深度，并同時在絕緣埋層表面隔離形成頂層半導(dǎo)體層；

采用離子注入的方式在支撐襯底中形成從側(cè)面和底部環(huán)繞光學(xué)傳感區(qū)域的隔離層，所述隔離層的材料是P型半導(dǎo)體材料；

在由隔離層圍攏的支撐襯底內(nèi)形成光學(xué)傳感器件；

在驅(qū)動電路區(qū)域的頂層半導(dǎo)體層中形成晶體管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有絕緣埋層的圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述形成絕緣埋層的步驟進(jìn)一步包括：?將成核離子注入至支撐襯底的驅(qū)動電路區(qū)域中：?對注入?yún)^(qū)域退火，以形成絕緣埋層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有絕緣埋層的圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述形成光學(xué)傳感器件的步驟進(jìn)一步包括：?向由隔離層圍攏的支撐襯底內(nèi)注入第一摻雜離子，在支撐襯底中形成具有第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)域：?在第一摻雜區(qū)域中的部分區(qū)域注入第二摻雜離子，形成具有第二導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有絕緣埋層的圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述支撐襯底的材料為單晶硅，所述絕緣側(cè)墻和絕緣埋層的材料各自獨(dú)立地選自于氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的任意一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有絕緣埋層的圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述在支撐襯底中形成隔離溝槽的工藝采用等離子體輔助刻蝕工藝。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有絕緣埋層的圖像傳感器的制作方法，其特征在于，注入形成所述隔離層的工藝為：首先離子注入形成所述隔離層位于所述光學(xué)傳感區(qū)域底部的部分；再遮擋注入所述光學(xué)傳感區(qū)域的中心部分，將離子注入至環(huán)繞所述光學(xué)傳感區(qū)域的位置并逐步降低離子注入的能量，以形成在所述隔離層側(cè)面環(huán)繞所述光學(xué)傳感區(qū)域的部分。