[發明專利]帶有絕緣埋層的圖像傳感器及其制作方法

有效

• 申請號: 201110229907.1
• 申請日: 2011-08-11
• 公開（公告）號: CN102332460A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發明（設計）人: 陳志卿;汪輝;陳杰;汪寧;尚巖峰;田犁
• 申請（專利權）人: 上海中科高等研究院
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/762
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 孫佳胤;翟羽

1.一種帶有絕緣埋層的圖像傳感器，所述圖像傳感器形成于支撐襯底表面，所述圖像傳感器包括驅動電路區域和光學傳感區域，其特征在于：

驅動電路區域的支撐襯底表面具有頂層半導體層，頂層半導體層通過絕緣埋層與支撐襯底隔離；

驅動電路區域中的晶體管形成于頂層半導體層中，光學傳感區域中的光學傳感器件形成于支撐襯底中并通過絕緣隔離層與支撐襯底電學隔離；

所述驅動電路區域和光學傳感區域彼此通過絕緣側墻橫向隔離。

2.根據權利要求1所述的帶有絕緣埋層的圖像傳感器，其特征在于，所述絕緣隔離層以及絕緣埋層的材料各自獨立地選自于氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的任意一種。

3.一種權利要求1所述帶有絕緣埋層的圖像傳感器的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供支撐襯底，所述支撐襯底表面依次具有連續的絕緣埋層和連續的頂層半導體層：

去除光學傳感區域的頂層半導體層和絕緣埋層；

在支撐襯底的光學傳感區域中形成底部絕緣隔離層；

在支撐襯底的光學傳感區域中形成環繞光學傳感區域的隔離溝槽，溝槽底部至露出底部絕緣隔離層；

在溝槽中填充絕緣介質，以形成側部絕緣隔離層；

在由底部絕緣隔離層和側部絕緣隔離層圍攏的支撐襯底內形成光學傳感器件；

在驅動電路區域的頂層半導體層中制作晶體管。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成底部絕緣隔離層的步驟進一步包括：?將成核離子注入至支撐襯底的光學傳感區域中：?對注入區域退火，以形成底部絕緣隔離層。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成光學傳感器件的步驟進一步包括：?向支撐襯底的光學傳感區域注入摻雜離子，在支撐襯底表面形成導電類型與支撐襯底相反的摻雜層。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述支撐襯底的材料為單晶硅，所述底部絕緣隔離層和側部絕緣隔離層的材料各自獨立地選自于氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的任意一種。

7.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述去除光學傳感區域的頂層半導體層和絕緣埋層，以及在支撐襯底中形成隔離溝槽的工藝采用等離子體輔助刻蝕工藝。