[發明專利]用于降低封裝失效率的焊料接點回流工藝無效
| 申請號: | 201110229006.2 | 申請日: | 2011-08-10 |
| 公開(公告)號: | CN102593019A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發明(設計)人: | 余振華;張文耀;汪青蓉;左克偉;劉重希 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;B23K1/00 |
| 代理公司: | 北京德恒律師事務所 11306 | 代理人: | 陸鑫;高雪琴 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 降低 封裝 失效 焊料 接點 回流 工藝 | ||
1.一種方法,包括:
將第一工作件和第二工作件之間的多個焊料凸決加熱到熔化狀態;
在所述多個焊料凸塊的固化階段期間,在第一冷卻率下將所述多個焊料凸塊冷卻;以及
在完成所述固化階段之后,在第二冷卻率下將所述多個焊料凸塊冷卻,所述第二冷卻率低于所述第一冷卻率。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,所述第一冷卻率與所述第二冷卻率的差大于大約0.5℃/秒。
3.根據權利要求1所述的方法,其中,所述在第二冷卻率下將多個焊料凸塊冷卻的步驟包括:在所述固化階段之后,基本上立刻將所述多個焊料凸塊的冷卻率調節到所述第二冷卻率,以及
以第一溫度完成所述固化階段,并且,所述在第二冷卻率下將多個焊料凸塊冷卻的步驟以第二溫度開始,并且,其中,所述第一溫度與所述第二溫度的溫度差小于大約10℃。
4.根據權利要求1所述的方法,其中,所述第一冷卻率高于大約1.5℃/秒,或者
所述第一冷卻率高于大約1.8℃/秒;或者
所述第一冷卻率處于大約1.8℃/秒和大約2.4℃/秒之間;或者
所述第二冷卻率低于大約1.0℃/秒。
5.一種方法,包括:
將第一工作件和第二工作件之間的多個焊料凸塊加熱到熔化狀態;以及
在所述多個焊料凸塊的固化階段期間,冷卻所述多個焊料凸塊,其中,在所述第一工作件和所述第二工作件之間的所有所述多個焊料凸塊固化之前,在第一冷卻率下將所述多個焊料凸塊冷卻,所述第一冷卻率高于大約1.5℃/秒。
6.根據權利要求5所述的方法,其中,在所述固化階段的整個時間段期間,在高于大約1.5℃/秒的冷卻率下將所述多個焊料凸塊冷卻;或者
所述第一冷卻率處于大約1.8℃/秒和大約2.4℃/秒之間。
7.根據權利要求5所述的方法,進一步包括:在所述第一工作件和所述第二工作件之間的所有焊料凸塊固化之后,在第二冷卻率下將所述多個焊料凸塊冷卻,所述第二冷卻率低于所述第一冷卻率。
8.根據權利要求7所述的方法,其中,所述第二冷卻率低于大約1.0℃/秒;或者
在所述固化階段之后,基本上立即開始所述在第二冷卻率下將多個焊料凸塊冷卻的步驟,其中,以第一溫度完成所述固化階段,所述在第二冷卻率下將多個焊料凸塊冷卻的步驟以第二溫度開始,并且,其中,所述第一溫度和所述第二溫度的溫度差小于大約10℃。
9.一種方法,包括:
將第一工作件和第二工作件之間的多個焊料凸塊加熱到熔化狀態;
在所述多個焊料凸塊的固化階段期間,在第一冷卻率下將所述多個焊料凸塊冷卻,所述第一冷卻率高于大約1.5℃/秒;以及
在所述固化階段完成之后,基本上立刻將所述多個焊料凸塊的冷卻率調節到第二冷卻率,所述第二冷卻率低于大約1.0℃/秒。
10.根據權利要求9所述的方法,其中,以第一溫度完成所述固化階段,所述在第二冷卻率下將多個焊料凸塊冷卻的步驟以第二溫度開始,并且,其中,所述第一溫度和所述第二溫度的溫度差小于大約10℃;或者
所述溫度差小于大約5℃;或者
所述第一冷卻率處于大約1.8℃/秒和大約2.4℃/秒之間;或者
所述將多個焊料凸塊的冷卻率調節到第二冷卻率的步驟包括:對吹到所述第一工作件和所述第二工作件以及所述多個焊料凸塊上的空氣的溫度進行調節。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





