[發(fā)明專利]發(fā)光器件和照明系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110228788.8 | 申請日: | 2011-08-09 |
| 公開(公告)號: | CN102376854A | 公開(公告)日: | 2012-03-14 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李建教 | 申請(專利權)人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01L33/58;H01L25/075 |
| 代理公司: | 中原信達知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 陸弋;王偉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發(fā)光 器件 照明 系統(tǒng) | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件和具有該發(fā)光器件的照明系統(tǒng)。
背景技術
發(fā)光二極管(LED)是一種用于將電能轉換成光的半導體器件。與諸如熒光燈和白熾燈泡等的現(xiàn)有技術光源相比,LED具有很多優(yōu)點,例如低功耗、半永久使用壽命、響應時間快、安全且環(huán)保。正在進行很多研究以利用LED替代現(xiàn)有光源。而且,隨著該趨勢,正越來越多地使用LED作為在室內(nèi)和室外場所使用的各種燈及照明裝置(例如液晶顯示器、記分板和街燈)的光源。
發(fā)明內(nèi)容
實施例提供了一種新型的發(fā)光器件和包括該發(fā)光器件的照明系統(tǒng)。
實施例還提供了如下一種發(fā)光器件,該發(fā)光器件包括用于支撐多個金屬層的絕緣膜以及與所述多個金屬層電連接的發(fā)光芯片。
實施例還提供了一種具有空腔結構的發(fā)光器件和包括該發(fā)光器件的照明系統(tǒng),在該空腔結構中,金屬層的內(nèi)側部分比其外側部分深。
實施例還提供了如下一種發(fā)光器件和包括該發(fā)光器件的照明系統(tǒng),該發(fā)光器件內(nèi)包括樹脂層和圍繞發(fā)光芯片的引導構件。
在一個實施例中,一種發(fā)光器件包括:多個金屬層,所述多個金屬層彼此間隔開;第一絕緣膜,所述第一絕緣膜布置在所述多個金屬層的頂表面區(qū)域的外側部分上并具有敞口區(qū)域,在所述敞口區(qū)域處,所述多個金屬層的頂表面區(qū)域的一部分是暴露的;發(fā)光芯片,所述發(fā)光芯片布置在所述多個金屬層中的至少一個金屬層上并電連接到其它金屬層;以及樹脂層,所述樹脂層位于所述多個金屬層和所述發(fā)光芯片上,其中,所述多個金屬層包括內(nèi)側部分和外側部分,并且所述外側部分的厚度比所述內(nèi)側部分的厚度厚。
在附圖和以下描述中闡述了一個或多個實施例的細節(jié)。從該描述、附圖以及權利要求中,其它特征將是顯而易見的。
附圖說明
圖1是根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的截面圖。
圖2至圖4是示意了圖1的發(fā)光器件的另一實例的視圖。
圖5是根據(jù)第二實施例的發(fā)光器件的透視圖。
圖6是沿著圖5的線A-A截取的剖視圖。
圖7到圖14是示意圖5的發(fā)光器件的制造過程的視圖。
圖15是根據(jù)第三實施例的發(fā)光器件的截面圖。
圖16是根據(jù)第四實施例的發(fā)光器件的截面圖。
圖17和18是根據(jù)第五實施例的發(fā)光器件的透視圖及其截面圖。
圖19和20是根據(jù)第六實施例的發(fā)光器件的平面圖及其截面圖。
圖21是圖19的一種變型例的視圖。
圖22到55是示意根據(jù)其它實施例的發(fā)光器件的變型例的視圖。
圖56和57是示意根據(jù)一個實施例的發(fā)光芯片的一個實例的視圖。
圖58是示意根據(jù)一個實施例的顯示器件的一個實例的透視圖。
圖59是示意根據(jù)一個實施例的顯示器件的另一實例的透視圖。
圖60是示意根據(jù)一個實施例的照明單元的視圖。
具體實施方式
在實施例的描述中,應當理解,當一個層(或膜)、區(qū)域、圖案或結構被稱為在另一層(或膜)、區(qū)域、墊或圖案“上”或“下”時,該用語“上”和“下”包括“直接”和“間接”兩種含義。此外,關于每一層“上”和“下”的參考將基于附圖進行。
在各個圖中,為了便于說明和清楚起見,每一個層的厚度或尺寸可以被夸大、省略或示意性地圖示。在各個圖中,為了便于說明和清楚起見,每一個層的厚度或尺寸可以被夸大、省略或概略地示意。
圖1是示意根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的截面圖。
參考圖1,該發(fā)光器件包括多個金屬層11和13、位于該金屬層11和13上的絕緣膜21和23、位于所述多個金屬層11和13之間且至少在金屬層11上的發(fā)光芯片41、位于絕緣膜21上的引導構件31、以及位于金屬層11和13上以覆蓋所述發(fā)光芯片41的樹脂層61。
金屬層11和13彼此通過分離部17隔開,并且該分離部17可以是空區(qū)域或者可以由絕緣粘結材料形成。分離部17以物理方式使金屬層11和13分離,以防止金屬層11和13之間的電短路。
金屬層11和13并不使用額外的主體,例如用于將金屬層與由諸如聚鄰苯二甲酰胺(PPA)等的樹脂系列材料形成的主體固定在一起的結構,從而金屬層11和13的一部分可以具有彎曲形狀、可以以預定角度彎曲,或可以局部地被蝕刻。
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