[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110228472.9
• 申請(qǐng)日: 2011-08-10
• 公開（公告）號(hào): CN102931087A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李付軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮;李辰

1.一種半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成柵極；

在所述柵極兩側(cè)的基底上形成補(bǔ)償側(cè)墻；

在所述補(bǔ)償側(cè)墻兩側(cè)的基底內(nèi)形成淺阱區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

去除所述補(bǔ)償側(cè)墻；

在所述柵極兩側(cè)的基底上形成主側(cè)墻；

在所述主側(cè)墻兩側(cè)的基底內(nèi)進(jìn)行源區(qū)和漏區(qū)的摻雜；

對(duì)所述基底進(jìn)行退火處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述補(bǔ)償側(cè)墻和主側(cè)墻的的材料均為氮化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述補(bǔ)償側(cè)墻的寬度小于所述主側(cè)墻的寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述補(bǔ)償側(cè)墻兩側(cè)的基底內(nèi)形成淺阱區(qū)采用輕摻雜漏離子注入工藝。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在所述主側(cè)墻兩側(cè)的基底內(nèi)進(jìn)行源區(qū)和漏區(qū)的摻雜采用離子注入工藝。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在所述柵極兩側(cè)的基底上形成補(bǔ)償側(cè)墻，具體包括：

在所述基底表面形成第一氮化硅層；

采用干法刻蝕工藝對(duì)所述第一氮化硅層進(jìn)行反刻，在所述柵極兩側(cè)的基底上形成補(bǔ)償側(cè)墻。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在所述柵極兩側(cè)的基底上形成主側(cè)墻，具體包括：

在所述基底表面形成第二氮化硅層；

采用干法刻蝕工藝對(duì)所述第二氮化硅層進(jìn)行反刻，在所述柵極兩側(cè)的基底上形成主側(cè)墻。

9.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底上的柵極；

位于所述柵極兩側(cè)基底上的補(bǔ)償側(cè)墻；

位于所述補(bǔ)償側(cè)墻兩側(cè)基底內(nèi)的淺阱區(qū)，所述淺阱區(qū)與所述補(bǔ)償側(cè)墻沒(méi)有形成交疊區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述補(bǔ)償側(cè)墻的材料為氮化硅。