[發明專利]接墊結構的形成方法

有效

• 申請號: 201110227636.6
• 申請日: 2011-08-09
• 公開（公告）號: CN102931145A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 丁海濤
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L21/60
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種接墊結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有第一保護層和為所述第一保護層所露出的接墊；

在所述第一保護層與所述接墊上形成第二保護層；

在所述第二保護層上形成第一開口以暴露出所述接墊，所述第一開口的底部位于所述接墊上；

采用焊錫材料填充所述第一開口，以形成新的接墊。

2.根據權利要求1所述的接墊結構的形成方法，其特征在于，相鄰的所述第一開口間的距離大于50微米。

3.根據權利要求1或2所述的接墊結構的形成方法，其特征在于，每一接墊上的第一開口為一個且位于所述接墊的中心。

4.根據權利要求1所述的接墊結構的形成方法，其特征在于，所述第二保護層材質為聚酰亞胺；形成所述第一開口的方法，包括：利用掩膜板曝光、顯影，以將掩膜板上的第一開口圖形轉移至聚酰亞胺上。

5.根據權利要求1所述的接墊結構的形成方法，其特征在于，具有第一保護層和為所述第一保護層所露出的接墊的基底的形成步驟包括：

提供基底，所述基底上具有接墊；

在所述基底與所述接墊上形成第一保護層；

在所述第一保護層上形成第二開口以暴露出所述接墊，所述第二開口的底部位于所述第一開口的底部。

6.根據權利要求5所述的接墊結構的形成方法，其特征在于，所述第一保護層材質為聚酰亞胺。

7.根據權利要求6所述的接墊結構的形成方法，其特征在于，所述提供基底步驟之后還依次對所述基底進行固化、灰化、清洗、烘烤、軟烘烤的步驟。

8.根據權利要求7所述的接墊結構的形成方法，其特征在于，所述烘烤的工藝條件為：110-130攝氏度持續3-5分鐘，接著130-150攝氏度持續1-3分鐘；軟烘烤的工藝條件為：熱板上115-135攝氏度持續3-5分鐘。

9.根據權利要求4所述的接墊結構的形成方法，其特征在于，在所述第二保護層上形成第一開口以暴露出所述接墊步驟后，還進行對所述包含第一開口的基底固化的步驟。

10.根據權利要求9所述的接墊結構的形成方法，其特征在于，對所述包含第一開口的基底固化步驟之后還進行對包含第一開口的基底灰化的步驟。

11.根據權利要求10所述的接墊結構的形成方法，其特征在于，對所述包含第一開口的基底灰化步驟之后還進行對所述包含第一開口的基底清洗，烘烤，軟烘烤步驟。

12.根據權利要求11所述的接墊結構的形成方法，其特征在于，所述烘烤的工藝條件為：110-130攝氏度持續3-5分鐘，接著130-150攝氏度持續1-3分鐘；軟烘烤的工藝條件為：熱板上115-135攝氏度持續3-5分鐘。

13.一種接墊結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有接墊；

在所述基底與所述接墊上形成保護層；

在所述保護層上形成第一開口以暴露出所述接墊，所述第一開口的底部位于所述接墊的平面上；

采用焊錫材料填充所述第一開口，以形成新的接墊。

14.根據權利要求13所述的接墊結構的形成方法，其特征在于，所述保護層材質為聚酰亞胺；形成所述第一開口的方法，包括：利用掩膜板曝光、顯影，將掩膜板上的第一開口圖形轉移至聚酰亞胺上。

15.根據權利要求13所述的接墊結構的形成方法，其特征在于，相鄰的第一開口間的距離大于50微米。

16.根據權利要求13或15所述的接墊結構的形成方法，其特征在于，每一接墊上的第一開口為一個且位于所述接墊的中心。

17.根據權利要求14所述的接墊結構的形成方法，其特征在于，在所述保護層上形成第一開口以暴露出所述接墊步驟后，還對所述包含第一開口的基底進行固化的步驟。

18.根據權利要求17所述的接墊結構的形成方法，其特征在于，對所述包含第一開口的基底固化步驟之后還對包含第一開口的基底進行灰化的步驟。

19.根據權利要求18所述的接墊結構的形成方法，其特征在于，對所述包含第一開口的基底灰化步驟之后還對所述包含第一開口的基底進行清洗、烘烤、軟烘烤步驟。

20.根據權利要求19所述的接墊結構的形成方法，其特征在于，所述烘烤的工藝條件為：110-130攝氏度持續3-5分鐘，接著130-150攝氏度持續1-3分鐘；軟烘烤的工藝條件為：熱板上115-135攝氏度持續3-5分鐘。