[發(fā)明專利]太陽能玻璃激光劃線方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110227392.1
• 申請日: 2011-08-09
• 公開（公告）號: CN102756213A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王裕賢;張振昌;簡瑞胤;楊勝雄
• 申請（專利權(quán)）人: 竑騰科技股份有限公司
• 主分類號: B23K26/36
• 分類號: B23K26/36;B23K26/08;B23K26/03;B23K26/42
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于一種可有效提高所刻劃的直線間平行度的太陽能玻璃激光劃線方法。

背景技術(shù)

其中一種硅薄膜太陽能電池的制作方式，是先在一基板上生成一透明導(dǎo)電薄膜層(Transparent?Conducting?Oxide，TCO)，并利用激光在該透明導(dǎo)電薄膜層上刻劃出相間隔的直線，以將該透明導(dǎo)電薄膜層隔出多個(gè)隔離的區(qū)域；接著以濺渡或等離子體輔助化學(xué)氣相沉積法(Plasma-Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition，PECVD)于該透明導(dǎo)電薄膜層上鋪設(shè)一非晶硅薄膜層，并同樣利用激光在該非晶硅薄膜層上刻劃出直線；然后再于該非晶硅薄膜層上鋪設(shè)一金屬薄膜層，且同樣利用激光在該金屬薄膜層上刻劃直線。

其中，在對于前述透明導(dǎo)電薄膜層、非晶硅薄膜層以及金屬薄膜層上的激光劃線制造工藝的品質(zhì)要求中，最基本的就是線與線不得形成交叉，亦即線與線間需相互平行，更甚者則是要求線與線間的劃線平行度的誤差需在+/-10微米(μm)以內(nèi)。

現(xiàn)有技術(shù)的激光劃線方法，是設(shè)置三支固定式電荷耦合裝置(Charge-Coupled?Device，CCD)的方式來進(jìn)行視覺取像，該視覺取像的主要目的在求得前一薄膜層上的直線的斜率以及線與線之間的平均間距，進(jìn)一步具體的來說，參見圖8所示，首先令前述三固定式電荷耦合裝置分別為一第一電荷耦合裝置31、一第二電荷耦合裝置32與一第三電荷耦合裝置33，接著假設(shè)當(dāng)要將一非晶硅薄膜層以直線分隔出四十個(gè)區(qū)塊時(shí)，需在該等薄膜層上刻劃出三十九條直線；

實(shí)際操作時(shí)，先利用該第一電荷耦合裝置31與第二電荷耦合裝置32對該透明導(dǎo)電薄膜層上的第一條直線L1的兩點(diǎn)位置進(jìn)行取像，并計(jì)算以求得該第一條直線L1的斜率，同時(shí)利用該第三電荷耦合裝置33對該透明導(dǎo)電層上的第三十九條直線L39進(jìn)行取像，配合該第一電荷耦合裝置31的取像結(jié)果，從而推算出第一條直線L1至第三十九條直線L39間各直線的平均間距，然后便可藉上述計(jì)算所得的透明導(dǎo)電薄膜層上第一條直線L1的斜率以及各直線的平均間距的數(shù)據(jù)，來對該非晶硅薄膜層進(jìn)行激光劃線；

同樣地，在后續(xù)的步驟中，也是先利用各電荷耦合裝置來對該非晶硅薄膜層上的直線進(jìn)行取像，以求得該非晶硅薄膜層上第一條直線的斜率以及各直線的平均間距后，再對該金屬薄膜層進(jìn)行激光劃線。

然而，由于上述現(xiàn)有技術(shù)的激光劃線方法僅藉一次的取像結(jié)果來決定后續(xù)所有直線的劃線斜率以及線與線之間的平均間距，未能考慮到各加工設(shè)備間的精度的差異，以及該基板本身可能會(huì)因外力而產(chǎn)生位移的問題，以致隨著所需刻劃的直線的數(shù)量越多，所刻劃的直線間平行度的良率也越低，如此將會(huì)導(dǎo)致該太陽能電池發(fā)電效率的遞減。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題，本發(fā)明提供一種太陽能玻璃激光劃線方法，希藉此設(shè)計(jì)解決現(xiàn)有技術(shù)激光劃線方法僅藉一次的取像結(jié)果決定后續(xù)所有直線的斜率以及線與線間的間距，導(dǎo)致各直線間平行度的良率低的缺點(diǎn)。

為了達(dá)到上述的發(fā)明目的，本發(fā)明所利用的技術(shù)手段是使一太陽能玻璃激光劃線方法包括：

一直線取像動(dòng)作，在該直線取像動(dòng)作中是以至少一視覺對位裝置取得一基板上前一制造工藝的薄膜層中所刻劃的每一條直線上其中一點(diǎn)的坐標(biāo)，接著令該視覺對位裝置與基板相對側(cè)向移動(dòng)，再使該視覺對位裝置取得該前一制造工藝的薄膜層的每一條直線上另一點(diǎn)的坐標(biāo)，以各條直線的兩點(diǎn)坐標(biāo)來計(jì)算每一條直線的線斜率，又，以兩相鄰直線的點(diǎn)的坐標(biāo)來計(jì)算該兩相鄰的直線之間的間距；

一激光劃線動(dòng)作，其是令該基板與至少一激光劃線裝置相對側(cè)向移動(dòng)，使該激光劃線裝置根據(jù)前述直線取像動(dòng)作中所取得的前一制造工藝的薄膜層上每一條直線的兩點(diǎn)坐標(biāo)在后一制造工藝的薄膜層上進(jìn)行刻劃直線的動(dòng)作，配合該直線的線斜率，令該激光劃線裝置在劃線的過程中進(jìn)行位置的微調(diào)，并根據(jù)前述直線取像動(dòng)作中所得的兩相鄰直線之間的間距，令該激光劃線裝置移動(dòng)至下一直線的預(yù)定刻劃位置，以進(jìn)行刻劃下一直線的動(dòng)作。

上述太陽能玻璃激光劃線方法中，該基板可分為若干區(qū)塊，每一區(qū)塊配置一視覺對位裝置以及一激光劃線裝置，以同時(shí)對各區(qū)塊進(jìn)行該直線取像動(dòng)作以及該激光劃線動(dòng)作。

在上述直線取像動(dòng)作與激光劃線動(dòng)作中，可驅(qū)動(dòng)一可夾掣該基板的夾持機(jī)構(gòu)來帶動(dòng)該基板相對該視覺對位裝置與激光劃線裝置側(cè)向移動(dòng)。

在上述直線取像動(dòng)作中，計(jì)算所得的每一條直線的兩點(diǎn)坐標(biāo)以及線斜率是傳遞至相對應(yīng)的激光劃線裝置，又，計(jì)算所得的兩相鄰直線間的間距是傳遞至設(shè)有該激光劃線裝置的一移動(dòng)平臺，令該移動(dòng)平臺帶動(dòng)該激光劃線裝置移動(dòng)至下一直線的預(yù)定刻劃位置。