[發明專利]一種LED漫反射杯的制備方法

無效

• 申請號: 201110227271.7
• 申請日: 2011-08-09
• 公開（公告）號: CN102280537A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發明（設計）人: 湯自榮;習爽;史鐵林;張雷;劉丹
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;B82Y40/00
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 曹葆青

1.一種LED漫反射杯的制備方法，其特征在于，該方法包括下述步驟：

第1步在清洗后的硅片上涂覆光刻膠；

第2步對光刻膠進行曝光、顯影，得到光刻膠的微槽陣列；

第3步刻蝕硅片形成微槽，得到反射杯體；

第4步去除反射杯體上的光刻膠；

第5步將去除光刻膠的反射杯體加熱，高溫生長納米線，形成漫反射膜覆蓋在反射杯體上。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，第5步具體實現步驟為：直接將去除光刻膠的反射杯體放入真空管式爐，抽真空后，通入氮氣與氫氣的混合氣體，升溫至納米線的生長溫度1100-1300℃，保溫2-8小時，在生長溫度下，硅片與氮氣發生氣-固反應，生成單晶氮化硅納米線，形成漫反射膜覆蓋在反射杯體上。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，第5步具體實現步驟為：在去除光刻膠的反射杯體上鍍一層金屬薄膜，膜厚為10nm-100nm。再將其放入真空管式爐，抽真空后，通入氮氣或氮氣與氫氣的混合氣體，升溫至納米線的生長溫度1000-1200℃，保溫1-3小時。在生長溫度下，硅片與爐中殘留的氧氣在金屬催化劑的作用下發生反應，生成非晶的二氧化硅(SiO₂)納米線，形成漫反射膜覆蓋在反射杯體上。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，第5步具體實現步驟為：對去除光刻膠的反射杯體進行噴碳處理，再將其放入真空管式爐，抽真空后，通入氮氣與氫氣的混合氣體，升溫至納米線的生長溫度1200-1300℃，保溫1-4小時。在生長溫度下，硅片、氮氣及爐中殘留的氧氣在碳的作用下生成非晶的硅氧氮納米線，形成漫反射膜覆蓋在反射杯體上。