[發(fā)明專利]一種具有三諧振吸收峰的太赫茲波段超穎材料有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110226812.4 | 申請日： | 2011-08-09 |
| 公開（公告）號： | CN102427150A | 公開（公告）日： | 2012-04-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張雅鑫;喬紳;凌偉;劉盛綱 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01P1/20 | 分類號： | H01P1/20 |
| 代理公司： | 電子科技大學(xué)專利中心 51203 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 具有 諧振 吸收 赫茲 波段 材料 | ||
1.一種具有三諧振吸收峰的太赫茲波段超穎材料，包括襯底基片和位于襯底基片表面周期性排列的金屬諧振單元；所述金屬諧振單元是由線寬為d的金屬薄膜線條形成的非對稱圖形結(jié)構(gòu)；該非對稱圖形結(jié)構(gòu)包括中間由兩個相同的單開口金屬環(huán)相向連接而成的電開口環(huán)共振器，電開口環(huán)共振器的開口處寬度為w2、間距為g2；該非對稱圖形結(jié)構(gòu)還包括兩個與電開口環(huán)共振器兩側(cè)長邊背向連接的單開口金屬環(huán)，其中一個單開口金屬環(huán)開口處寬度為(d+w1)、開口間距為g1，另一個單開口金屬環(huán)開口處寬度為金屬薄膜線條寬度d、開口間距為g3，且g3＞g1；整體金屬諧振單元長為Ax、寬為Ay，相鄰兩個金屬諧振單元長度方向上間距為(Lx-Ax)、寬度方向上間距為(Ly-Ay)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有三諧振吸收峰的太赫茲波段超穎材料，其特征在于，所述襯底基片材料為有機介質(zhì)材料、陶瓷介質(zhì)材料或半導(dǎo)體材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有三諧振吸收峰的太赫茲波段超穎材料，其特征在于，所述金屬薄膜線條材料是Au、Ag、Cu或Al。
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