[發(fā)明專(zhuān)利]晶片級(jí)成型的光耦合器無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110226350.6 | 申請(qǐng)日： | 2011-08-05 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102914832A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-02-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉勇;錢(qián)秋曉 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 快捷半導(dǎo)體(蘇州)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G02B6/42 | 分類(lèi)號(hào)： | G02B6/42 |
| 代理公司： | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人： | 余剛;吳孟秋 |
| 地址： | 215021 江*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶片 成型 耦合器 | ||
1.一種光耦合器封裝件，包括：
基板，具有第一表面、與所述第一表面相對(duì)的第二表面以及設(shè)置于所述第一表面和所述第二表面之間的電絕緣材料主體；
第一光電器件，埋入所述基板的所述電絕緣材料主體中，并設(shè)置于所述基板的第一表面和第二表面之間，所述第一光電器件具有第一導(dǎo)電區(qū)域和第二導(dǎo)電區(qū)域；
第二光電器件，埋入所述基板的所述電絕緣材料主體中，并設(shè)置于所述基板的第一表面和第二表面之間，并與所述第一光電器件以光學(xué)方式耦合，所述第二光電器件具有第一導(dǎo)電區(qū)域和第二導(dǎo)電區(qū)域；
第一電跡線，設(shè)置于所述基板的表面上并電耦接至所述第一光電器件的第一導(dǎo)電區(qū)域；
第二電跡線，設(shè)置于所述基板的表面上并電耦接至所述第一光電器件的第二導(dǎo)電區(qū)域；
第三電跡線，設(shè)置于所述基板的表面上并電耦接至所述第二光電器件的第一導(dǎo)電區(qū)域；以及
第四電跡線，設(shè)置于所述基板的表面上并電耦接至所述第二光電器件的第二導(dǎo)電區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光耦合器封裝件，其中，至少一條電跡線冶金結(jié)合至所述第一光電器件的導(dǎo)電區(qū)域，并且至少一條電跡線冶金結(jié)合至所述第二光電器件的導(dǎo)電區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光耦合器封裝件，其中，所述電絕緣材料主體以粘合的方式結(jié)合至所述第一光電器件和所述第二光電器件中的每一個(gè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光耦合器封裝件，進(jìn)一步包括設(shè)置于所述基板的所述第一表面上且在所述第一光電器件及所述第二光電器件上的透輻射材料主體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光耦合器封裝件，其中，所述第一光電器件具有設(shè)置于所述基板的第一表面處的第一表面以及與其第一表面相對(duì)的第二表面，其中，所述第一光電器件的第一導(dǎo)電區(qū)域和第二導(dǎo)電區(qū)域設(shè)置于所述第一光電器件的第二表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光耦合器封裝件，進(jìn)一步包括導(dǎo)電柱，埋入所述基板的所述電絕緣材料主體中并設(shè)置于所述基板的第一表面和第二表面之間，所述導(dǎo)電柱具有設(shè)置為比所述基板的第二表面更靠近所述基板的第一表面的第一端以及與所述第一端相對(duì)并設(shè)置為比所述基板的第一表面更靠近所述基板的第二表面的第二端；以及
其中，一條所述導(dǎo)電跡線具有設(shè)置于所述導(dǎo)電柱的一端之上并冶金結(jié)合至所述導(dǎo)電柱的該端的部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光耦合器封裝件，其中，所述第一光電器件具有設(shè)置于所述基板的所述第一表面處的第一表面以及與其第一表面相對(duì)的第二表面；
其中，所述第二光電器件具有設(shè)置于所述基板的第一表面處的第一表面及與其第一表面相對(duì)的第二表面；以及
其中，所述基板的所述電絕緣材料主體覆蓋所述第一光電器件和所述第二光電器件的第二表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光耦合器封裝件，進(jìn)一步包括設(shè)置于所述基板的介于所述基板的第二表面和所述光電器件中的一個(gè)的第二表面之間的所述電絕緣材料主體中的孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光耦合器封裝件，進(jìn)一步包括：
透輻射材料主體，設(shè)置于所述基板的第一表面上且在所述第一光電器件及所述第二光電器件上；
多個(gè)互連連接盤(pán)，設(shè)置于所述基板的第一表面上并在空間上與所述透輻射材料主體相分離，每個(gè)互連連接盤(pán)電耦接至至少一條所述電跡線；以及
多個(gè)互連凸塊，每個(gè)互連凸塊設(shè)置于各自的互連連接盤(pán)上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光耦合器封裝件，其中，所述基板的所述電絕緣材料主體包括對(duì)于所述光電器件中的一個(gè)所發(fā)射的輻射是不穿透的材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光耦合器封裝件，其中，所述第二光電器件具有設(shè)置于所述基板的第一表面處的第一表面以及設(shè)置于所述基板的第二表面處的第二表面；以及
其中，所述第四電跡線設(shè)置于所述第二光電器件的整個(gè)第二表面上。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于快捷半導(dǎo)體(蘇州)有限公司，未經(jīng)快捷半導(dǎo)體(蘇州)有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110226350.6/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
