[發(fā)明專利]一種液晶顯示裝置及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110226254.1
• 申請日: 2011-08-08
• 公開（公告）號: CN102253522A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡君文;李林;洪勝寶;林建偉;謝凡;何基強;李建華
• 申請（專利權(quán)）人: 信利半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;G02F1/1362;H01L21/77;G03F7/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

1.一種液晶顯示裝置的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一基板，所述第一基板包括柵極區(qū)、存儲電容區(qū)、位于所述柵極區(qū)和存儲電容區(qū)表面上的第一保護(hù)層以及位于所述第一保護(hù)層上的非晶硅層和數(shù)據(jù)線層；

在所述非晶硅層和數(shù)據(jù)線層上形成硅島和數(shù)據(jù)線，所述硅島和數(shù)據(jù)線是在同一光刻過程中形成的；

在所述第一保護(hù)層和數(shù)據(jù)線表面上形成第二保護(hù)層，在所述第二保護(hù)層上形成過孔；

在所述第二保護(hù)層表面上形成電極層，在所述電極層上形成像素電極和共同電極，所述像素電極和共同電極在同一光刻過程中形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，所述形成硅島和數(shù)據(jù)線的光刻過程中采用的掩模版為半灰階掩模版。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述方法，其特征在于，所述形成硅島和數(shù)據(jù)線的過程具體為：

在所述數(shù)據(jù)線層上形成光刻膠層，利用半灰階掩模版進(jìn)行光刻，在光刻膠層上形成第一數(shù)據(jù)線圖形和硅島圖形，所述第一數(shù)據(jù)線圖形處為部分曝光；

以具有第一數(shù)據(jù)線圖形和硅島圖形的光刻膠層為掩膜，去除所述硅島圖形下方的數(shù)據(jù)線層和非晶硅層材料，形成硅島；

去除所述光刻膠層中的第一數(shù)據(jù)線圖形下方剩余的光刻膠，在所述光刻膠層上形成第二數(shù)據(jù)線圖形；

以具有第二數(shù)據(jù)線圖形的光刻膠層為掩膜，去除所述第二數(shù)據(jù)線圖形下方的數(shù)據(jù)線層材料和部分非晶硅層材料，形成溝道，得到數(shù)據(jù)線。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述方法，其特征在于，形成所述硅島的過程中，去除所述硅島圖形下方的數(shù)據(jù)線層和非晶硅層材料的過程具體為：采用濕法腐蝕工藝去掉數(shù)據(jù)線層材料，采用干法刻蝕工藝去掉非晶硅層材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述方法，其特征在于，形成第二數(shù)據(jù)線圖形的具體過程為：

采用干法刻蝕工藝去除所述第一數(shù)據(jù)線圖形下方剩余的光刻膠，形成第二數(shù)據(jù)線圖形。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述方法，其特征在于，形成數(shù)據(jù)線的過程中，去除所述第二數(shù)據(jù)線圖形下方的數(shù)據(jù)線層材料和部分非晶硅層材料的過程具體為：

采用濕法腐蝕工藝去除所述第二數(shù)據(jù)線圖形下方的數(shù)據(jù)線層材料；

采用干法刻蝕工藝去除所述第二數(shù)據(jù)線圖形下方的部分非晶硅層材料。

7.采用權(quán)利要求1-6任一項所述的方法制作的液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素電極和共同電極均位于所述第二保護(hù)層表面上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素電極和共同電極的制作材料相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素電極和共同電極的制作材料為氧化銦錫。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素電極和所述存儲電容區(qū)以及二者之間的第一保護(hù)層和第二保護(hù)層構(gòu)成存儲電容，所述像素電極和存儲電容區(qū)為所述存儲電容的兩個極板，所述第一保護(hù)層和第二保護(hù)層為存儲電容兩極板間的介質(zhì)。