[發明專利]一種模擬電路中的高壓轉低壓電路有效
| 申請號： | 201110225677.1 | 申請日： | 2011-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN102931834A | 公開（公告）日： | 2013-02-13 |
| 發明（設計）人： | 崔文兵;李一天 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H02M3/10 | 分類號： | H02M3/10;H02M3/158 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 模擬 電路 中的 高壓 低壓 | ||
1.一種模擬電路中的高壓轉低壓電路，其特征是，包括：
一電阻R1，其一端連接輸入端，另一端連接齊納二極管D1的負極、PMOS管T5的源極、PMOS管T6的源極、PMOS管T7的源極、PMOS管T15的源極、PMOS管T16的源極和PMOS管T17的源極；
一鉗位保護電路，包括：齊納二極管D1和二極管D2，齊納二極管D1的正極連接二極管D2的正極，二極管D2的負極連接地節點；
一正溫度系數電流產生電路，包括：PMOS管T5、PMOS管T6、PMOS管T7、雙極PNP晶體管T1、雙極PNP晶體管T2、NMOS管T3、NMOS管T4和電阻R2；
PMOS管T5的柵極、PMOS管T6的柵極和PMOS管T7的柵極相互連接；
PMOS管T5的漏極與NMOS管T3的柵極連接；
MOS管T3的柵極與其漏極短接，NMOS管T3與NMOS管T4管共用柵極，NMOS管T3的源極與PNP晶體管T1的發射極連接；
PMOS管T6的柵極與其漏極短接，并與NMOS管T4的漏極連接，PMOS管T4的源極通過電阻R2連接PNP晶體管T2的發射極；
PMOS管T7的漏極與PMOS管T17的漏極、NMOS管T10的柵極和電阻R3的一端連接，電阻R3另外一端連接地節點；
PNP晶體管T1與PNP晶體管T2共基極，PNP晶體管T1的基極、PNP晶體管T2的基極與其各自的集電極短接并連接地節點；
一負溫度系數電流產生電路，包括：PMOS管T15、PMOS管T16、PMOS管T17、NMOS管T13、NMOS管T14、電阻R12和電阻R13；
PMOS管T15的柵極、PMOS管T16的柵極和PMOS管T17的柵極相互連接；
PMOS管T15的漏極連接電阻R13的一端，電阻R13的另一端與NMOS管T13的漏極、NMOS管T14的柵極連接；
NMOS管T13的柵極與NMOS管T14的源極及電阻R12的一端相連，電阻R12的一端連接地節點，NMOS管T13的源極連接地節點；
PMOS管T16的柵極與其漏極短接，并與NMOS管T14的漏極連接；
PMOS管T17的漏極連接NMOS管T10的柵極，并通過電阻R3連接地節點；
一緩沖輸出電路，包括：電阻R4與高壓NMOS管T10；
NMOS管T10的柵極連接電阻R3的一端，電阻R3其另外一端連接地節點，NMOS管T10的漏極通過電阻R4連接輸入端，NMOS管T10的源極形成輸出端，并通過負載連接地節點。
2.如權利要求1所述的高低電壓轉換電路，其特征是：電阻R1其一端連接輸入端，電阻R1其另一端連接二極管D2的正極，二極管D2的負極連接齊納二極管D1的負極，齊納二極管D1的正極連接地節點。
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