[發(fā)明專利]新型IC封裝制造工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110225548.2
• 申請(qǐng)日: 2011-08-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102254838A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳勝華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 慈溪市永旭豐泰電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/56
• 分類號(hào): H01L21/56;H01L21/48
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種IC封裝技術(shù)，尤其涉及一種新型的IC封裝工藝。

背景技術(shù)

IC封裝，就是指把硅片上的電路管腳，用導(dǎo)線接引到外部接頭處，以便與其它器件連接，封裝形式是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封、保護(hù)芯片及增強(qiáng)電熱性能等方面的作用，而且還通過(guò)芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過(guò)印刷電路板上的導(dǎo)線與其他器件相連接，從而實(shí)現(xiàn)內(nèi)部芯片與外部電路的連接。因?yàn)樾酒仨毰c外界隔離，以防止空氣中的雜質(zhì)對(duì)芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降。

目前市場(chǎng)上同類IC封裝產(chǎn)品都是用塑料配件單個(gè)手工封裝，封裝精度差，封裝速度慢，防潮性能差，不能滿足需要。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種新型的IC封裝制造工藝，該工藝采用專門的壓合設(shè)備、壓合材料、分割設(shè)備完全替代了手工封裝過(guò)程，解決了封裝精度差，封裝速度慢等現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是：

一種新型IC封裝制造工藝，所述的工藝包括以下步驟：

步驟1，制作IC載板；

步驟2，準(zhǔn)備封裝蓋板；

步驟3，在封裝蓋板反面上上膠，通過(guò)機(jī)械整體壓合到IC載板上；

步驟4，采用±0.05mm高精度雕刻機(jī)雕刻成型，

步驟5，通過(guò)綁定機(jī)綁定IC載板，

步驟6，在封裝蓋板正面覆上50Um樹(shù)脂型純膠，

步驟7，把封裝玻璃通過(guò)機(jī)械整體壓合在蓋板上，再通過(guò)分割機(jī)切割成型。

更進(jìn)一步的技術(shù)方案是：

所述的步驟3中在封裝蓋板反面上膠是指在封裝蓋板反面上50Um樹(shù)脂型純膠，并且在步驟3中進(jìn)行整體壓合時(shí)需要將溫度控制在170-180度，時(shí)間控制在30分鐘。

所述的步驟7中，將封裝玻璃通過(guò)機(jī)械整體壓合在蓋板上時(shí)，需要將溫度控制在175度，時(shí)間控制在30分鐘。

所述的步驟1包括以下步驟：

步驟1-1，底片制作，即進(jìn)行光繪底片制作；

步驟1-2，開(kāi)料；

步驟1-3，鉆孔，即在底片上沖鉆基準(zhǔn)孔；

步驟1-4，沉銅，即在底片的基材表面和基準(zhǔn)孔上沉上一層化學(xué)薄銅；

步驟1-5，加厚銅，即再一次沉銅，以使銅層厚度增加；

步驟1-6，圖形轉(zhuǎn)移；

步驟1-7，圖形電鍍；

步驟1-8，退膜；

步驟1-9，半孔加工；

步驟1-10，蝕刻；

步驟1-11，退錫；

步驟1-12，對(duì)底片進(jìn)行第一次測(cè)試；

步驟1-13，阻焊；

步驟1-14，化金；

步驟1-15，對(duì)底片進(jìn)行第二次測(cè)試；

所述的步驟2包括：

步驟2-1，蓋板備料；

步驟2-2，蓋板開(kāi)料；

步驟2-3，背膠；

步驟2-4，機(jī)加工；

步驟2-5，清洗；

所述的步驟1-1中在進(jìn)行光繪底片時(shí)須進(jìn)行工藝補(bǔ)償，工藝補(bǔ)償須依據(jù)測(cè)量不同厚度Cu的側(cè)蝕來(lái)確定，所述的底片為正片。

所述的步驟2-1中蓋板的材料使用高TG雙面板材，并將雙面板材的銅皮蝕掉。

所述的步驟1-6中包括以下子步驟：

步驟1-6-1，磨板；

步驟1-6-2，對(duì)Cu面的處理運(yùn)用化學(xué)微蝕處理；

步驟1-6-3，烘干后立即進(jìn)行貼膜；

步驟1-6-4，顯影后，用刻度放大鏡測(cè)量線及間隙是否達(dá)到圖紙要求，保證線條光滑無(wú)鋸齒。

所述的步驟1-9中，半孔加工采用正反兩刀銑槽，行刀速度控制在1-2米/分鐘。

所述的步驟1-10中，蝕刻采用CuCl₂溶液進(jìn)行腐蝕，同時(shí)將圖形BGA面朝下以減少側(cè)蝕量。

采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于：

1、各部件之間采用樹(shù)脂型的純膠進(jìn)行整體壓合，替代傳統(tǒng)的單體手工封裝，大大提高了封裝速度；

2、封裝蓋板采用高精度CNC成型，代替了單體塑料件注塑方式，提高了封裝精度；

3、采用晶元分割機(jī)分割整體壓合的產(chǎn)品，提高了封裝精度；

4、各部件之間采用樹(shù)脂型的純膠進(jìn)行整體壓合，提高了各部件之間的致密度，亦提高了封裝后的防潮功能。