[發(fā)明專利]薄膜太陽(yáng)能電池及其制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110225516.2 | 申請(qǐng)日： | 2011-08-02 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102544125A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林志雄;簡(jiǎn)毓蒼;張志雄;林昆志;李岳勛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 宇通光能股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/0224 | 分類號(hào)： | H01L31/0224;H01L31/075;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁揮;常大軍 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜 太陽(yáng)能電池 及其 制造 方法 | ||
1.一種薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于，包括：
一基板；
一第一電極區(qū)，配置于該基板上；
一光電轉(zhuǎn)換層，配置于該第一電極區(qū)上；以及
一第二電極區(qū)，配置于該光電轉(zhuǎn)換層上；
其中，該第一電極區(qū)與該第二電極區(qū)其中的至少一個(gè)含有一N型摻雜物，且該N型摻雜物的濃度是往該光電轉(zhuǎn)換層的方向遞減。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于，該第一電極區(qū)含有該N型摻雜物，該第一電極區(qū)包括：
一第一電極層，配置于該基板上；以及
至少一緩沖電極層，配置于該第一電極層上，該第一電極層所含該N型摻雜物的濃度高于該至少一緩沖電極層所含該N型摻雜物的濃度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于，該第二電極區(qū)含有該N型摻雜物，該第二電極區(qū)包括：
至少一緩沖電極層，配置于光電轉(zhuǎn)換層上；以及
一第二電極層，配置于該至少一緩沖電極層上，該第二電極層所含該N型摻雜物的濃度高于該至少一緩沖電極層所含該N型摻雜物的濃度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于，該第一電極區(qū)與該第二電極區(qū)均含有該N型摻雜物，該第一電極區(qū)包括一第一電極層與至少一第一緩沖電極層，該第二電極區(qū)包括一第二電極層與至少一第二緩沖電極層，該第一電極層配置于該基板上，該第一緩沖電極層配置于該第一電極層上，該第一電極層所含該N型摻雜物的濃度高于該第一緩沖電極層所含該N型摻雜物的濃度，該第二緩沖電極層配置于該光電轉(zhuǎn)換層上，該第二電極層配置于該第二緩沖電極層上，該第二電極層所含該N型摻雜物的濃度高于該第二緩沖電極層所含該N型摻雜物的濃度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于，該光電轉(zhuǎn)換層包括：
一P型半導(dǎo)體層，鄰近于該第一電極區(qū)；以及
一N型半導(dǎo)體層，鄰近于該第二電極區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于，該N型摻雜物選自由硼、鋁、鎵及銦所組成的群組。
7.一種薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于，包括：
在一基板上形成一第一電極區(qū)；
在該第一電極區(qū)上形成一光電轉(zhuǎn)換層；以及
在該光電轉(zhuǎn)換層上形成一第二電極區(qū)；
其中，該第一電極區(qū)與該第二電極區(qū)其中的至少一個(gè)含有一N型摻雜物，且該N型摻雜物的濃度是往該光電轉(zhuǎn)換層的方向遞減。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于，形成該第一電極區(qū)的步驟包括：
于該基板上依序形成R+1層電極材料層，其中第R層電極材料層的該N型摻雜物的濃度高于第R+1層電極材料層的該N型摻雜物的濃度，R為正整數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于，形成該第一電極區(qū)的步驟包括：
于該基板上形成一透明導(dǎo)電氧化物層；以及對(duì)該透明導(dǎo)電氧化物層摻雜該N型摻雜物。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于，形成該第二電極區(qū)的步驟包括：
于該光電轉(zhuǎn)換層上依序形成S+1層電極材料層，其中第S層電極材料層的該N型摻雜物的濃度低于第S+1層電極材料層的該N型摻雜物的濃度，S為正整數(shù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于，形成該第二電極區(qū)的步驟包括：
于該光電轉(zhuǎn)換層上形成一透明導(dǎo)電氧化物層；以及
對(duì)該透明導(dǎo)電氧化物層摻雜該N型摻雜物。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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