[發(fā)明專利]一種用于全面積器件轉(zhuǎn)移的制備多孔硅的裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110225427.8 | 申請日： | 2011-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN102418138A | 公開（公告）日： | 2012-04-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張磊;沈鴻烈 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京航空航天大學(xué) |
| 主分類號： | C25F3/12 | 分類號： | C25F3/12;C25F7/00;C30B33/10;H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人： | 張惠忠 |
| 地址： | 210016 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 面積 器件 轉(zhuǎn)移 制備 多孔 裝置 | ||
1.一種用于全面積薄膜器件轉(zhuǎn)移的制備多孔硅的裝置，包括槽體，其特征在于：在所述的槽體上方開設(shè)有腐蝕槽，在槽體的下方開設(shè)有真空室，在所述的腐蝕槽與真空室之間開設(shè)有通孔，在所述的腐蝕槽底面設(shè)置有橡膠墊，所述的通孔位于橡膠墊的圈內(nèi)，在所述的腐蝕槽內(nèi)還設(shè)置有鉑網(wǎng)陰電極；在所述的真空室內(nèi)設(shè)置有金屬探針電極，金屬探針電極的上端穿出所述的通孔位于腐蝕槽內(nèi)，在真空室內(nèi)設(shè)置有抽真空氣口。
2.按權(quán)利要求1所述的電化學(xué)法制備多孔硅的裝置，其特征在于：在所述的槽體的下端開設(shè)有真空槽，在真空槽的下端設(shè)置有一底板，所述的底板與槽體密封連接形成所述的真空室，所述的抽真空氣口開設(shè)在該底板上，在底板上還設(shè)置有插座，所述的金屬探針電極與該插座電連接。
3.按權(quán)利要求2所述的電化學(xué)法制備多孔硅的裝置，其特征在于：在所述的槽體底板上還設(shè)置有一中心活塞，所述的金屬探針電極連接在該中心活塞上。
4.按權(quán)利要求3所述的電化學(xué)法制備多孔硅的裝置，其特征在于：在所述的腐蝕槽底面上開設(shè)有至少一個凹槽，所述的橡膠墊位于其中一個凹槽內(nèi)。
5.按權(quán)利要求4所述的電化學(xué)法制備多孔硅的裝置，其特征在于：所述的凹槽為環(huán)形，且至少為兩個。
6.按權(quán)利要求5所述的電化學(xué)法制備多孔硅的裝置，其特征在于：所述的底板與槽體采用螺栓連接，在底板與槽體的連接面上設(shè)置有密封圈。
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