[發明專利]一種低電容的晶體管功率器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201110224497.1 | 申請日： | 2011-08-06 |
| 公開（公告）號： | CN102254940A | 公開（公告）日： | 2011-11-23 |
| 發明（設計）人： | 王新 | 申請（專利權）人： | 深圳市穩先微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/423 | 分類號： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市福田區*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電容 晶體管 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種低電容的晶體管功率器件，包括硅片、柵氧化層、多晶硅層、柵電極、源電極和漏電極，其特征在于；
所述柵氧化層和所述多晶硅層之間，還設置一熱場氧化層，所述熱場氧化層的厚度為9500-11500埃。
2.根據權利要求1所述的晶體管功率器件，其特征在于，所述熱場氧化層的厚度為10000埃。
3.根據權利要求1或2所述的晶體管功率器件，其特征在于，所述晶體管功率器件為VDMOS功率器件或IGBT功率器件。
4.根據權利要求3所述的晶體管功率器件，其特征在于，所述熱場氧化層僅設置在所述柵電極的柵區溝道區外表面。
5.根據權利要求4所述的晶體管功率器件，其特征在于，所述熱場氧化層還設置在所述源電極的N+源區，作為N+源區注入的屏蔽口。
6.根據權利要求4所述的晶體管功率器件，其特征在于，還包括一二氧化硅絕緣層，用于隔離所述柵電極和所述源電極。
7.一種低電容的晶體管功率器件的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
A、熱場氧化所述硅片，形成所述熱場氧化層；
B、熱氧化所述硅片形成所述柵氧化層；
C、淀積多晶硅，并光刻多晶硅區，形成所述柵電極；
D、形成所述源電極和所述漏電極；
E、形成所述低電容的晶體管功率器件。
8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，在步驟A之后，還執行步驟A1，在形成所述熱場氧化層后，設置所述熱場氧化層的厚度，并光刻所述熱場氧化層。
9.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，步驟A1具體執行：光刻所述硅片時，保留所述柵電極的柵區溝道區外表面的熱場氧化層，以及所述源電極的N+源區部分的熱場氧化層。
10.根據權利要求7至9任一所述的制造方法，其特征在于，還包括步驟D1：淀積二氧化硅，隔離絕緣所述柵電極和所述源電極。
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