[發(fā)明專利]鈰鋱共摻雜鈦酸鍶發(fā)光薄膜、其制備方法及有機(jī)電致發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110224445.4
• 申請日: 2011-08-05
• 公開（公告）號: CN102912441A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;王平;陳吉星;黃輝
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司
• 主分類號: C30B29/32
• 分類號: C30B29/32;C30B23/00;C23C14/08;C23C14/35;H05B33/14;H05B33/10;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種鈰鋱共摻雜鈦酸鍶發(fā)光薄膜，其特征在于，該發(fā)光薄膜的化學(xué)通式為Sr_1-x-yTiO₃:xCe³⁺，yTb³⁺；其中，Sr_1-x-yTiO₃為基質(zhì)，Ce³⁺和Tb³⁺為摻雜元素；x的取值范圍為0.0001～0.033，y的取值范圍為0.0001～0.039。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈰鋱共摻雜鈦酸鍶發(fā)光薄膜，其特征在于，x的取值范圍為0.009，y的取值范圍為0.012。

3.一種鈰鋱共摻雜鈦酸鍶發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1，根據(jù)化學(xué)通式Sr_1-x-yTiO₃:xCe³⁺，yTb³⁺中各元素化學(xué)計(jì)量比，稱取SrO、TiO₂、CeO₂和Tb₄O₇粉體，經(jīng)過均勻混合后，在900～1300℃下燒結(jié)，制成靶材；其中，x的取值范圍為0.0001～0.033，y的取值范圍為0.0001～0.039；

步驟S2，將步驟S1中得到的靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)，并將真空腔體的真空度設(shè)置在1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa之間；

步驟S3，調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為：基靶間距為45～90mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2～4Pa，氬氣工作氣體的流量10～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃；接著進(jìn)行制膜，得到薄膜樣品；

步驟S4，將步驟S3得到的薄膜樣品于500～800℃下真空退火處理1～3h，得到化學(xué)通式為Sr_1-x-yTiO³:xCe³⁺，yTb³⁺的所述鈰鋱共摻雜鈦酸鍶發(fā)光薄膜；其中，Sr_1-x-yTiO₃為基質(zhì)，Ce³⁺和Tb³⁺為摻雜元素。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鈰鋱共摻雜鈦酸鍶發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，x的取值范圍為0.009，y的取值范圍為0.012。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的鈰鋱共摻雜鈦酸鍶發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述靶材制備的燒結(jié)溫度為1250℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鈰鋱共摻雜鈦酸鍶發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，所述真空腔體的真空度設(shè)置在5.0×10^-4Pa。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制鈰鋱共摻雜鈦酸鍶發(fā)光薄膜的備方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述基靶間距為60mm；所述磁控濺射工作壓強(qiáng)為2.0Pa；所述氬氣工作氣體的流量為25sccm；所述襯底溫度為500℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鈰鋱共摻雜鈦酸鍶發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述真空退火處理中的退火溫度為600℃，退火時間為2h。

9.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件為復(fù)合層狀結(jié)構(gòu)，該復(fù)合層狀結(jié)構(gòu)依次為襯底、陽極層、發(fā)光層以及陰極層，其特征在于，所述發(fā)光層為鈰鋱共摻雜鈦酸鍶發(fā)光薄膜，該發(fā)光薄膜的化學(xué)通式為Sr_1-x-yTiO₃:xCe³⁺，yTb³⁺；其中，Sr_1-x-yTiO₃為基質(zhì)，Ce³⁺和Tb³⁺為摻雜元素，x的取值范圍為0.0001～0.033，y的取值范圍為0.0001～0.039。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，x的取值范圍為0.009，y的取值范圍為0.012。